电子线性电路第3节场效应管.ppt

第 三 章 场 效 应 管 概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它比BJT体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别：后述。 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。三极管Ri不高，在许多场合不能满足要求。 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。FET靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。三极管是两种载流子导电。 FET优点：输入电阻大（Ri107Ω～1012Ω）、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强、体积小、工艺简单，便于集成，因此应用广泛。 主要用于高输入阻抗放大器的输入级。 场效应管：压控电流源器件（ID=gmVGS）。 三极管：流控电流源器件（IC= IB ）。 FET利用输入回路的电压（电场效应）来控制输出回路电流的器件，故此命名。 概 述 3.1 MOS场效应管 N-MOS管与P-MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此，导致加在各极上的电压极性相反。 N沟道 P沟道 N-JFET P-JFET 分类： 金属氧化物场效应管（IGFET绝缘栅型） 3.1.1 N沟道增强型MOS场效应管 N-EMOS FET结构示意图 MOS管外部工作条件:两个PN结反偏。N-EMOS管为： VDS 0 (保证栅漏PN结反偏)。 B接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 VGS 0 (形成导电沟道)。 1、由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管(M-O-S)。 2、栅极有SiO2绝缘层，或简称 I-G-FET场效应管。 3.1.1 N沟道增强型（EMOS）管 说明 ①MOS管衬底一般与源极相连使用； ②栅极和衬底间形成电容。 一. 工作原理 1、沟道形成原理。(1)设VDS =0，当VGS=0时，iD=0。图(a) 3.1 绝缘栅型场效应管（MOS管） (2)当VGS0时，VGS对沟道导电能力的控制作用。图(b) 若VGS0（正栅源电压） 耗尽层，如图(b)所示。 (3)开启电压VGS(th)：使沟道刚刚形成的栅源电压。 VGS 反型层加厚 沟道电阻变小。 当VGS 耗尽层加宽 反型层 N型导电沟道， 如图(C)所示。 VGS越大，反型层中n 越多，导电能力越强。 2、当VGSVGS(th)且一定时，VDS对沟道导电能力iD的影响。 VDS VGD 沟道变窄 若VGD=VGS(th) 预夹断 VDS （假设VGS VGS(th) 且保持不变） VDS 夹断区加长，沟道变短 预夹断前： d—s间呈电阻特性 预夹断后： VGDVGS(th) iD略有增加 VDS  →ID 基本维持不变。 若忽略沟道长度调制效应,则近似认为l 不变(即Ron不变)。 因此，预夹断后： 3、若考虑沟道长度调制效应 则VDS →沟道长度L略 →→沟道电阻Ron略。 因此，VDS  → ID略。 由上述分析可描绘出ID随VDS 变化的关系曲线： 曲线形状类似三极管输出特性。 MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件（BJT）。 利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变感生电荷的多少，从而改变（感生）导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。 MOSFET工作原理： 总图：N—EMOSFET工作原理 工作原理总结 通过上面讨论可以看到(ENMOS)： VGS(th)是沟道刚形成时所需的VGS，与N+和衬底的搀杂浓度,Gate下SiO2的厚度，温度等因素有关； VGS控制MOS管的导电沟道深度， VGS越大，沟道越深，导电能力越强， VGS对沟道电流的控制是MOS管的主要受控作用，也是实现放大器的基础； VGS一定，满足VGS VGS(th),在VDSVGSVGS(th) 时, 随着VDS的增加，由于沟道没有夹断，沟道电阻变化不大，沟道电流呈线性增加，当VDSVGS VGS(th) 时，夹断点到Ｓ的电压不变，沟道长度和形状几乎不变，沟道电流也几乎不变，但考虑沟道长度调制效应，则电流会有略微的上升； NMOS管是依靠多子电子一种载流子导电的，而晶体三极管中有多子和少子两种载流子参与导电； MOS管是对称器件, 源漏极可以互换。 3.1.3 EMOS场效应特性 一、伏安特性 转移特性曲线 输出特性曲线 非饱和区：vGSVGS(th)