微电子器件原理-第7节长沟道mosfets.pptVIP

第七章 长沟道MOSFETs（金属-氧化物-半导体场效应晶体管） 7.1 MOSFETs的基本工作原理 7.2 漏电流模型 7.3 MOSFETs的I-V特性 7.4 亚阈特性 7.5 衬底偏置效应和温度特性对阈值电压的影响 7.6 MOSFET沟道迁移率 7.7 MOSFET电容和反型层电容的影响 7.8 MOSFET的频率特性 7.1 MOSFETs的基本工作原理 MOSFET器件三维结构图 四端器件：源（S）；漏（D）；栅（G）； 衬底（B） N沟：p型衬底，源端用离子注入形成n+； P沟：n型衬底 栅电极：金属；重掺杂多晶硅。 氧化层：热氧化硅 隔离：场氧化 理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(1) 理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(2) 理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(3) 理想的p-MOS 和n-MOS电容能带图(4) p-MOS电容接近硅表面的能带图 MOSFET的四种类型及符号 MOSFET符号 7.2 漏电流模型 7.2.1 本征电荷密度与准费米势的关系 7.2.2 缓变（渐变）沟道近似 7.2.3 PAO和SAH’s双积分 MOSFET器件剖面图 以N沟增强型MOSFET为例 x=0在硅表面，指向衬底，平行于栅电极； y，平行于沟道，y=0在源端；y=L在漏端， L：沟道长度 ?