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第0章 导言 0.1 电信号 信号 模拟信号和数字信号 0.2 电子信息系统 电子系统的组成 电子信息系统中的模拟电路 信号 信号： 信号是反映消息的物理量（温度，压力，声音），是消息的表现形式。 电信号：随时间而变化的电压 u或电流 i， 在数学描述上表示成时间 t 的函数，u=f(t)或 i=f(t)。 模拟信号和数字信号 模拟信号： 时间和数值都是连续的物理量。 数字信号：时间和数值都是不连续的物理量。 模拟信号和数字信号 模拟信号 模拟信号和数字信号 数字信号 现代电子系统的组成 模拟电子系统的示意图 电子信息系统中的模拟电路 在电子系统中，常用的模拟电路及功能： 1、放大电路：用于信号的电压、电流或功率的放大。 2、滤波电路：用于信号的提取、变换等。 3、运算电路：完成信号的比例、加、减、乘、除等运算。 4、信号转换电路：如把电压信号转换成电流信号。 5、信号发生电路：用于产生正弦波、三角波等波形。 6、直流电源：把220V、50HZ交流电转换成不同输出电压和电流的直流电。 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 　耗尽层 V R I 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 图 1.1.6 P N 　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏) 　　反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用； 外电场使空间电荷区变宽； 　　不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。 　耗尽层 图 1.1.7　PN 结加反相电压时截止 　　反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感， 　　随着温度升高， IS 将急剧增大。 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS 　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　 （动画1-4） （动画1-5） 综上所述： 可见， PN 结具有单向导电性。 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 三、 PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 公式推导过程略 四、PN结的伏安特性 　　i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 图 1.1.10　PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 五、PN结的电容效应 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量　　将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb 图 1.1.11（b) 2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和