3无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能.pptVIP

* 5.3 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 * 如前面知识所提到的，具体的电磁屏蔽计算方法分为多种。在本部分中，将通过无限长磁性材料圆柱腔为模型，采用解析方法对其屏蔽效应进行分析。 * 无限长磁性材料圆柱腔的静磁屏蔽效能 本问题的处理方法在于对圆柱腔内的磁场引入相应的磁标位。 由于考虑静磁场，故类似于静电场而引入静磁位，其对应的支配方程为Laplace方程 对于一个置于磁场强度为H0的均匀磁场中圆柱腔—问题模型。 * 列出边界条件，列出方程 分离变量 本例中：纵横分离 应用边界条件，得到满足边界的通解 求解通解中的系数 Step 1 Step 2 Step 3 Step 4 分离变量的求解过程 于是，最终可得： * 由前面方法可以得到具体的屏蔽效能结果： 在μr 1，且腔体满足大半径、薄壁的条件下，则上面结果（R为平均半径）可以化简为： * 屏蔽效能随p（外、内径平方比）变化曲线 * * 由前面所得屏蔽效能结果可以知道，当磁性材料屏蔽体的相对磁导率为1时（如：铜、铝等），其屏蔽效能为零。 要减轻屏蔽体的重量，就必须选择薄厚度、高磁导率的屏蔽体，才能保证一定的静磁屏蔽效能。 * 另外，对于屏蔽体在大尺寸、薄壁的情况下，一般具有如下特点： 壁厚度比平均半径对屏蔽效能的影响要大。 同一厚度时，屏蔽空间的扩大将使屏蔽效能降低，但一般屏蔽效能降低得较慢。 * 在本部分中，重点讨论了解析方法的主要分析思路。由此可以看到，通常解析方法只能分析一些具有规则典型结构的屏蔽问题，如果实际结构较为复杂，则需要进一步进行处理。