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● 程序虚地址分为两个字段：高位字段为虚页号，低位字段为页内地址。虚地址到实地址之间的变换是由页表来实现的。 ● 页表是一张存放在内存中的虚页号和实页号的对照表，记录着程序的虚页调入内存时被安排在内存中的位置. ● 页表中的每一行记录了与某个虚页对应的若干信息，包括虚页号、装入位和实页号等。 虚拟存储的实现 1.页式虚拟存储器 教学进程 6.6.2 /sundae_meng 6.6.2 虚拟存储的实现 页表基址寄存器和虚页号拼接成页表索引地址。 教学进程 页表基址寄存器 页表基地址 虚地址 + … 实地址 页表 1 页内地址 页内地址 实页号 虚页号 /sundae_meng 6.6.2 虚拟存储的实现 ● 段式虚拟存储器中的段是按照程序的逻辑结构划分的，各个段的长度 因程序而异。为了把程序虚地址变换成内存实地址，需要一个段表。 ● 段表中每一行记录了某个段对应的若干信息，包括段号、装入位、段 起点和段长等。 ● CPU根据虚地址访存时，首先将段号与段表的起始地址相拼加，形成 访问段表对应行的地址，然后根据段表内装入位判断该段是否已调入内 存。若已调入内存，从段表读出该段在内存中的起始地址，与段内地址 （偏移量）相加，得到对应的内存实地址。 2. 教学进程 段式虚拟存储器 /sundae_meng 6.6.2 虚拟存储的实现 段表基址寄存器 段表基地址 段号 段内地址 虚地址 + … + 内存地址 实地址 段式虚拟存储器地址转换 段表 教学进程 /sundae_meng 6.6.2 虚拟存储的实现 ● 段页式虚拟存储器。将程序按其逻辑结构分段，每段再划分为若干 大小相等的页；内存空间也划分为若干同样大小的页。 ● 虚存和实存之间以页为基本传送单位，每个程序对应一个段表， 每段对应一个页表。 ● CPU访向时，虚地址包含段号、段内页号、页内地址三部分。 首先将段表起始地址与段号合成，得到段表地址； 然后从段表中取出该段的页表起始地址，与段内页号合成， 得到页表地址； 最后从页表中取出实页号，与页内地址拼接形成内存实地址。 3. 教学进程 段页式虚拟存储器 /sundae_meng 6.7 内存技术的发展 6.7.1 内存的技术特点 ● 内存条实际上是一条焊有多片存储芯片的印刷电路板，插在主板内 存插槽中。 ● 单列直插存储模块SIMM（Single In一Line Memory Module）和 双列直插存储模块DIMM（Dual Inline Memory Module）; SIMM有30线和72线两种,容量通常有1MB、4MB、8MB、16MB、32MB  DIMM内存条两边均有金属引脚线，每边84线，双边共有84×2＝168 条引脚，故而常称为168线内存条。其容量有32MB、64MB、128MB 教学进程 /sundae_meng FPM DRAM （Fast Pagemode DRAM 快速页模式随机存储器） EDO DRAM （Extended Data Output DRAM 扩展数据输出DRAM） SDRAM （Synchronous DRAM，同步DRAM） DDR SDRAM （Double Data Rate SDRAM） RDRAM （Rambus DRAM） 6.7.2 内存的硬件新技术 教学进程 /sundae_meng ● 第6章 存储系统 ● —— 重要知识点 教学进程 小结 6.1 概述 6.1.1 存储器的层次结构 6.1.2 存储器的分类 6.1.3 存储器的基本组成 6.2 RAM随机存储器 ● 6.2.1 静态RAM ● 6.2.2 动态RAM ● 6.2.3 动态RAM的刷新 6.3 ROM只读存储器 ● 6.3.1 掩膜只读存储器 6.3.2 可编程的只读存储器 6.3.3 可编程、擦除的只读存储器 6.3.4 闪速存储器 6.4 存储器的设计与控制 6.4.1 常用的译码电路 ● 6.4.2 内存容量扩充 6.4.3 设计实例 6.5 Cache高速缓冲存储器 6.5.1 高速缓存工作原理 ● 6.5.2 替换策略 6.5.3 Cache读/写 6.6 虚拟存储器 ● 6.6.1 基本原理 6.6.2 虚拟存储的实现 6.7 内存技术的发展 6.7.1 内存的技术特点 6.7.2 内存的硬件新技