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关于IGBT驱动的几个基本问题 梁知宏 英飞凌科技（中国） 驱动器产品：目前所用技术 对目前驱动器产品的评价（仅供参考） 对目前驱动器产品的评价（仅供参考） 目前变频器用驱动方案（仅供参考） Coreless Transformer（CLT）无磁芯变压器技术 Infineon – Never Stop Thinking 12.0 0.0 12.0 8.9 7.18 7.18 9.20 9.20 8.60 8.60 6.40 6.20 6.40 6.80 6.80 6.20 5.00 5.00 Page * * * 12.0 0.0 12.0 8.9 7.18 7.18 9.20 9.20 8.60 8.60 6.40 5.00 5.00 6.40 6.80 6.80 6.20 6.20 内容 门极电压 - 开通电压：对饱和电压和短路电流的影响 - 关断电压：对关断和损耗的影响 门极电阻 - 对开关能耗和开关特性的影响 - 选择和配置的注意事项 驱动与保护 - 线路设计的几个原则 - 门极箝位，有源米勒箝位（Active Miller Clamping） - 动态电压上升控制（DVRC） - 短路保护：Vce检测，软关断，两电平关断 对目前驱动器产品的评价（仅供参考） 门极电压：开通电压+Vge 对饱和电压的影响 Vge?，Vcesat? Tvj=125?C Tvj=125?C 对短路电流的影响 Vge?，Isc?（tsc?） 注意：Vge规格-最大允许值?20V 门极电压：关断电压-Vge或0V 用-Vge（-5V…-15V)使IGBT关断更可靠，有利于防止误开通。 用0V关断，可考虑采用有源米勒箝位使关断更可靠（见后页“驱动与保护”）。 用0V…+15V开关时，门极电荷较小(以600V IGBT3为例，Qg为-15V…+15V时的40%），门极驱动电流较小。 用0V关断时，toff和Eoff较大（以600V IGBT3为例：toff为-15V时的2-3倍，Eoff比-15V时增加约10%）。 注意：Vge规格-最大允许值?20V 米勒电容对门极的影响（半桥中另一IGBT开通时） 寄生电感对门极的影响（FWD反向恢复结束时） 门极电阻 Rg对开通影响大，表现在以下几个方面： - 开通能耗（Eon） - IGBT的电流尖峰（续流二极管的反向恢复电流） - dv/dt Rg对关断影响不明显，表现在以下几个方面： - 关断能耗（Eoff） - di/dt（主要由芯片技术决定，Rg很大时才有影响） - dv/dt Rg对开通和关断延时都有影响 Eon，Eoff 关断波形 开通波形 Rg较小 Rg中等 Rg较大 门极电阻 Rg下限：规格书中的测试条件 Rg上限：IGBT损耗/发热，死区时间 功率计算（假设驱动功耗都消耗在Rg上）： Pg = ?Vge ? Qg ? fsw ? 2 其中：?Vge = Vcc - Vss Qg = ?Vge/30 ? QG QG：见规格书（-15V…+15V） fsw：开关频率 IGBT并联时，建议每个IGBT一个Rg（共用一个驱动器），以减小IGBT内置门极电阻值误差对开关一致性的影响。 0V Vss/0V Vcc Driver 门极电阻 Rg选择方式（仅供参考） 首先确定驱动器型号，以获取驱动器输出峰值电流。 注意：规格书中的参数是基于较理想驱动器的测试结果（驱动器输出等效电阻可近似为0），且驱动电压为-15V…+15V。 选择方式一：考虑驱动器输出能力（假设输出峰值电流为输出“短路”电流） 如有可能，确定所选Rg值是否满足驱动器温度要求。 通过测试最终确定合适的Rg值。 选择方式二：考虑下限，即对IGBT和续流二极管的冲击 驱动与保护 线路设计和布局的几个原则： 驱动电路与IGBT门极的距离越短越好 驱动电路与IGBT模块必须用导线连接时，导线越粗越好（双绞线） IGBT的G和E之间必须跨接电阻（10K?左右） RGE和门极箝位元件尽可能直接放置在IGBT模块上 优化驱动电路在PCB上的布局 驱动与保护：箝位，DVRC 动态电压上升控制（DVRC） 有源米勒箝位（Active Miller Clamping） 门极箝位：用肖特基二极管和电源电压将Vge限在15V，限制短路电流。 有源米勒箝位：利用附加晶体管的导通吸收由米勒电容和dv/dt产生的门极电流，保证0V关断的可靠性。 DVRC：检测dv/dt，延缓IGBT的关断，限制di/dt和电压尖峰。 门极箝位 驱动与保护：短路保护 Vce检测： - 适用于直通短路等“硬”短路（低寄生电感回路）的保护 - 不适合用于过流保护 - 注意De-sat二极管的选择 - 消隐电容的选择