第3章集成电路中的无源元件(半导体集成电路共14章).pptVIP

发射区(磷)扩散电阻 由于发射区扩散的杂质浓度较高，薄层电阻较小，所以只能做一些小的电阻。发射区扩散电阻有两种结构，一种是直接在外延层上扩散N+层来形成，需要单独的隔离区，不存在寄生效应。 L W N-epi N+ xje P+ P+ P-SUB R R 发射区扩散电阻结构图 (a) 顶视图 (b) 横截面图 另一种发射区扩散电阻的结构如右图所示，可以看出，它是和其他电阻做在一个隔离岛上，但发射区扩散电阻要做在一个单独的P型扩散区中，因为存在寄生PNP效应，所以需要隐埋层。 N+ P 接负电位 接最高正电位 接最低负电位 R R P+ N+ N-epi N+-BL P-SUB (a)顶视图 (b) A-A横截面图 和其他电阻共用一个隔离区的 发射区扩散电阻 发射区扩散电阻主要用来做小阻值电阻和在连线交叉时做“桥”用（以实现交叉连线之间的隔离，而低阻值的“磷桥”则作为某条连线的一部分），其电阻值的计算方法和基区扩散电阻类似。 C D A B (a) 顶视图 A B D P+ N+ N-epi P-SUB (b) 横截面图 发射区扩散电阻作“磷桥” 隐埋层电阻 隐埋层因重掺杂，所以电阻较小，可用来做小电阻。特别便于做与晶体管集电极相连的小电阻，。对这种结构，整个电阻R为 R=R1+R2+R3 其中R2为隐埋 层电阻，其计 算方法与计算 集电极串联电 阻相同。影响 因素较多，精 度不易控制。 R Q2 Q1 B +VCC (a) B E N+ N+ P N-epi R1 R2 R3 N+-BL P-SUB (b) (c) 隐埋层电阻的结构和应用 Vcc E B * * 氧化膜 p n n 耗尽层 （反向偏压） 夹层电阻区域 夹层电阻 （RF=2-10K / ) n+ n N型扩散层 基区沟道电阻 基区沟道电阻 它是在基区扩散层上再覆盖一层发射区扩散层，沟道电阻区的层厚为xjc-xje,所以称其为沟道电阻，特点如下： (1) 由于层厚较小，所以薄层电阻较大，可以较小的面积制作大的电阻； (2)由于层厚(xjc-xje)随外加电压而变化，所以沟道电阻是外加电压的函数，当外加电压变化不大时，R≈const； (3) 只能用于小电流、小电压情况，多数用作基区偏置电阻或泄放电阻； (4)精度较低，完全由基区宽度W决定，相对误差在(50～100)％； (5)由于有大面积N+P结，所以寄生电容较大；又因为其薄层电阻较大，所以基区沟道电阻的温度系数也比较大，为(0.3～0.5)％/℃。 基区沟道电阻的计算仍可利用 表示，其中电阻长度L为N+扩散区的长度，N+区以外的电阻可忽略不计。 外延层电阻(体电阻) 它是直接利用外延层做成的电阻，两端的N+扩散区是电极的接触区，故称其为体电阻。不存在寄生PNP效应。具有以下特点： (1)因外延层的薄层电阻较大，所以可用来做大值电阻； (2) 可承受较高的电压，其击穿电压为隔离结击穿电压，所以BVCS0较高； (3)在阻值设计时，要注意横向修正，即电阻宽度W应是扣除隔离结横向 扩散后电阻区的实际宽度. 假设横向扩散的宽度xj1≈Tepi，结面为1/4圆柱面，则 (4)电阻的相对误差△R/R较大(30～50)％，这是因为电阻值的控制主要是通过外延工艺(决定于外延层厚度和电阻率)和隔离扩散工艺(扩散结深)来进行的。 (5)电阻的温度系数较大，且与外延层掺杂浓度有关，其关系如下表所示。 Nepi/cm-3 1015 1016 1017 TCR/(10-6/℃) 8000 4000 3500 如果外延层上再覆盖一层P型扩散层，就可将其做成高阻值的电阻，即外延层沟道电阻，其结构与基区沟道电阻类似，此时阻值为： 式中RS’为沟道区薄层电阻；L’为P型扩散区长度；W为外延层电阻的宽度。 R R W L’ L Tepi P+ R xjc P+ N+ N+ N-epi R P型覆盖区 P-SUB 外延层沟道电阻结构 (a) 工艺复合图 (b) 横截面图 离子注入电阻 离子注入电阻是在外延层上注入硼离子形成的电阻区，在电阻区两端进行P型杂质扩散以获得欧姆接触，作为电阻的引出端。 具有以下特点： 薄层电阻RS的可控范围较大，电阻精度较高； 电阻的几何尺寸W、L可精确控制； 电阻的温度系数TCR与退火条件及RS有关，通过工艺调整可适当降低温度系数。 其缺点是由于注入结深较小(0.1～0.8)mm，所以注入层的厚度受PN结耗尽层宽度的影响较大，导致电阻阻值随电阻两端电压的变化而发生变化。 MOSIC中常用的电阻 1.多晶硅电阻 在硅栅MOS电路中常用多晶硅作电阻，