在隐蔽性发射极穿孔硅太阳电池工艺中激光打孔对硅材料性能地影响.docVIP

在隐蔽性发射极穿孔硅太阳电池工艺中 ----激光打孔对硅材料性能的影响 摘要：隐蔽性发射极穿孔硅太阳电池是一种新型结构的高效硅太阳电池，激光打孔是实现这新型结构的关键技术。但是，在激光打孔过程中基片会受到很大的辐射损伤，其材料的性能会发生明显变化，本文通过激光打孔后对材料测试分析发现基片打孔的周边辐射损伤很大；相对整个硅片，未打孔区的晶格质量得到了很好的改善；基片的电阻率明显降低，材料的体寿命有所增加。这对太阳电池要求的硅材料性能相当有利。 关键词：隐蔽性发射极穿孔硅太阳电池 激光打孔 材料性能 在激光打孔后，对材料进行电子显微镜测试、拉曼测试、XRD测试、材料方块电阻的测试、材料体寿命的测量分析后发现。激光打孔实际上相当于激光退火过程 1.引言 隐蔽性发射极穿孔硅太阳电池（Emitter wrap-through solar cell）是传统硅太阳电池的逻辑发展，该电池完全采用背接触方式，通过激光打孔把正面发射区和背面局部发射区连接在一起，实现将前表面发射区引入背面，正负电极全部交叉排列在背面，前表面采用优良的金字塔结构和减反射膜。与传统太阳电池相比，由于正表面不做金属电极，没有任何遮挡，有利于太阳光的吸收，可大大提高光生电流密度；电池的前后表面都采用了热氧钝化技术，对减少光生载流子的表面复合、增加长波响应非常有利，从而可使开路电压得以提高；电池背面采用定域合金制背场的方法，