半导体器件跟工艺课程设计.doc

PAGE 1 课 程 设 计 课程名称 微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08微电子学1班 学 号 3108008033 学生姓名____ 张又文 __ _ 指导教师 魏爱香、何玉定 ___ 2011 年 7 月 6 日 广东工业大学课程设计任务书 题目名称 pnp双极型晶体管的设计 学生学院 材料与能源学院 专业班级 微电子学专业08级1班 姓 名 张又文 学 号 3108008033 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp型双极晶体管，使T=300K时，β=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB,和NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。 4．根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计 2.晶体管纵向结构设计 3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形） 4．工艺参数设计和工艺操作步骤 5.总结工艺流程和工艺参数 6. 写设计报告 四、课程设计进程安排 序号 设计各阶段内容 地点 起止日期 1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教1-310 2011.6.27 2 学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定 图书馆 工三311 2011．.6.28 3 设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计 图书馆 工三311 2011 .6.29 4. 教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题 教1-302 2011.6.30 5 晶体管工艺参数设计， 实验室 教1-302 2100.7.1- 2011.7.2 6 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图 实验室 教1-302 2011.7.3 2011.7.4 8 教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题 实验室 教1- 301 2011.7.5 9 总结设计结果，写设计报告 实验室 教1-301 2011.7.6 10 写课程设计报告 图书馆， 宿室 2011.7.7 11 教师组织验收，提问答辩 实验室 2011.7.8 五、应收集的资料及主要参考文献 1．《半导体器件基础》Robert F. Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004. 2．《半导体物理与器件》 赵毅强等译，电子工业出版社，2005年. 3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年. 发出任务书日期： 2011 年 6 月 27 日 指导教师签名： 计划完成日期： 2011年 7月8日 基层教学单位责任人签章： 主管院长签章： 目录 TOC \o 1-3 \h \u HYPERLINK \l _Toc23434 广东工业大学课程设计任务书 PAGEREF _Toc23434 2 HYPERLINK \l _Toc18394 一、设计任务及目标 PAGEREF _Toc18394 5 HYPERLINK \l _Toc10107 二、 晶体管的主要设计步骤和原则 PAGEREF _Toc10107 5 HYPERLINK \l _Toc1879 2.1.晶体管设计一般步骤 PAGEREF _Toc1879 5 HYPERLINK \l _Toc26166 2.2．晶体管设计的基本原则 PAGEREF _Toc26166 6 HYPERLINK \l _Toc7728 三、晶体管物理参数设计 PAGEREF _Toc7728 7 HYPERLINK \l _Toc18607 3.1