表面工程-08 高能束表面改性学习.pptVIP

* * * * * 5.4.4.1 离子注入系统 5.4.4 离子束表面改性技术 源（Source）： 一般采用气体源，如 BF3，BCl3，PH3，ASH3等。如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。 离子源（Ion Source）： 灯丝（filament）发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击源分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 气体源：BF3，AsH3，PH3，Ar，GeH4，O2，N2，... 离子源：As，Ga，Ge，Sb，P，... 5.4.4 离子束表面改性技术 The ions are generated in an ion source which consists of an oven where the particles are vaporized, and the arc chamber, where the particles are ionized mainly by the bombardment of the atoms or molecules with electrons but also by atom/atom and atom/molecule collisions. Due to a well designed magnetic field in the arc chamber, which increases the path length of the electrons, and by the external generation of electrons, the electron/atom collision probability is increased, enabling a larger ion density. 离子源（Ion Source） 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 注入离子如何在体内静止？ 注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程： (1) 核阻止（nuclear stopping）： 来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论 (2) 电子阻止 （electronic stopping）： 来自靶内自由电子和束缚电子的阻止 总能量损失为两者的和 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 注入离子的分布 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。 注入离子的分布 离子注入表面改性的机理 5.4.4 离子束表面改性技术 损伤强化 离子碰撞对晶格的损伤-- 原子构造从长程有序变成短程有序 空位对位错的钉扎作用 注入掺杂强化 N,B等元素与金属形成氮化物、硼化物等硬质相 冲击强化 冷加工硬化 Advantages Limitations Produces surface alloys independent of thermodynamic criteria Limited thickness of treated material No delamination concerns High-vacuum process No significant dimensional changes Line-of-sight process Ambient-temperature processing possible Alloy concentrations dependent on sputtering Enhance surface properties while retaining bulk properties Relatively costly process; intensive training required compared to other processes High degree of control and reproducibility Limited commercial treatment facilities available 5.4.4 离子束表面改性技术 5.4.4 离子束表面改性技术 applications 5.4.4 离子束表面改性技术 applications 工程实例 * 工程实例 * 几种可行的方案 1个月后