* * * * 方啸 实验背景 在外场的作用下,晶体的光学性质会产生一定的变化,从而出现电光磁光热光光折变等效应。外场效应对晶体的宏观性质的影响,主要反映在晶体的折射率的变化上,这种变化虽然小,但足以改变光在晶体中传播的许多特性,因此可以达到用外场来控制光的传播方向、位相、强度、偏振态等,从而是输出光成为可利用的信号光。 实验目的 通过本实验,熟悉晶体的电光效应和电光调制器的基本工作原理,掌握电光调制器主要性能的测试方法,了解电光调制器的应用。 实验原理 通过分析单轴晶体在外场作用下呈现的电光特性、双折射现象产生的原因,利用电光调制晶体在外场作用下是折射率椭球发生变化的现象,推导出晶体的各种特性,测定各种参数。 本实验所用的LiNbO3电光调制晶体在不同外场作用下,光强被调制的情况作详细的分析,求出电光调制警惕的重要参数消光比和半波电压,并进一步求出LiNbO3晶体的线性电光系数。 1 电光效应 定义:晶体的折射率因外加电场而发生变化的现象称为电光效应。 折射率与外电场成比例改变的称为线性电光效应或普克尔效应,与外加电场的二次方成比例改变的称为二次电光效应。 应用:光雷达、光存储、光通信等激光应用中的关键元件。 1.1 介电常数 各向同性介质: 各向异性介质: 其中晶体
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