第章合成技术新技术.pptVIP

近代科学技术日新月异地发展，对材料不断提出新的要求，有的新技术在原理上和技术上虽然得出明确结论，却常因材料没有得到解决而未能达到适用的目的。可以说，新材料是新技术的物质基础。 新技术发展的需要促进了材料科学的发展，反过来，新技术的发展又为新材料的合成创造了条件，特别是高温、低温、高压、高真空技术，激光技术、等离子体技术等的发展，为新化合物的合成及无机材料的高纯化、超细微化、薄膜化、非晶化、晶体完整化创造了良好条件，使合成化学得到迅速发展。 工业上采用硼酸与氨在800~1200℃下反应而成。其反应式为： H3BO3 + NH3 → BN +3H2O 为了促进氮化反应，通常加入三磷酸钙。反应结束后进行酸洗，经干燥得到纯度约80%~90%的BN粉末。 要得到95%以上的高纯品可将粗BN粉末在N2或NH3的氛围中进行高温处理，或热分解硼酰亚胺B2(NH)3。 清华大学利用电弧等离子体一次制备出高纯六方BN。电弧等离子体制备BN的反应为： Na2B4O7·5H2O + 2(NH2)2CO → 4BN + Na2O + 2CO2 + 9H2O 2500℃ 电弧等离子体制备BN粉末的技术优点是： ① 产品纯度高 出炉料即达95%的纯度，经水洗、酸洗后，纯度可达99.7%，而常规生产的产品只能达到80%~90%的纯度。 ② 工艺流程大大简化 硼砂脱水→混料压块→等离子体加热→出料清洗。 而常规法中，光清洗净化这一步就繁琐得很：先将粗BN在1400℃通入NH324h，才能除去部分B2O3；如用N2纯化，需加热到1900℃以上，经过15min，才能达到将B2O3由10.7%降至3%。 ③ 利用高温除杂 杂质有Na2O、未反应的硼砂、尿素及B2O3和其它原料带来的杂质，但它们的沸点大多小于2500℃，而BN的沸点为5067℃，熔点为3037℃，所以在2500℃反应即可除去所有杂质。 (3) 等离子体化学气相沉积(PCVD) 用等离子体技术使反应气体进行化学反应后，在基底上生成固体薄膜的方法称等离子体化学气相沉积，它是在原来已成熟的薄膜技术中应用了等离子体技术而发展起来的。近几十年来，PCVD发展非常快，在半导体工业中，这种技术已成为大规模集成电路干式工艺中的重要环节。 与CVD相比，PCVD常能获得具有不同晶型、不同性能的薄膜材料。 ● Si、Ge在熔融状态仍具有很高的配位数，用熔融体骤冷法难以得到非晶态硅，而用PCVD则易得到。 平行平板等离子体装置中，电子撞击SiH4气体解离成SiH3、SiH2、Si，即在基板上析出α-Si，其含氢量约10%，这种非晶态的硅是太阳能电池的极好材料。 如果在SiH4中掺入PH3和B2H6，则可得到n型和p型半导体薄膜材料。 利用PCVD已制备了非晶态Si、C、Ge、As等薄膜材料。 （3）CuFe2O4的制备 CuFe2O4属于立方晶系，反应原料是CuO和Fe2O3，传统的方法制备CuFe2O4需要23h，用微波加热方法，在微波功率为350W下，只需20min。 超导材料YBa2Cu3O7-x，用常规加热合成方法制 备需要24h。若采用微波合成，将CuO，Y2O3和 Ba(NO3)2按一定的化学计量比混合，置入经过改装 的微波炉内。在500W功率水平，辐射5min，所有 NO2气体释放出。物料经重新研磨，130~500W功率 以上辐射15min; 再研磨，辐射25min。取样，经XRD 分析显示，产物的主要成分为YBa2Cu3O7-x，其四方晶 胞参数为:a=b=0.3861(2)nm，C=1.1389(3)nm。这 个四方结构按常规方式通过缓慢冷却，将转变为具有 超导性质的正交结构。 （4）超导材料的制备 三元多晶半导体化合物铜铟硫(CulnS2)和铜铟硒(CuInSe2)是用于太阳能电池的特种材料。 传统上，它们是由元素单质在特制的反应容器内，经过长时间(12h以上)高温燃烧合成制得。而在微波辐射下，只用约3min便可合成CuInS2和CuInSe2多晶体。 （5）太阳能电池材料的制备 上海交通大学吴省等：利用微波法合成TiO2纳米管，无机化学学报，2006，22(2) 先分别制备了锐钛矿相和金红石相的TiO2纳米粉体, 粉体经过110~700 ℃