2003年材料学会年会论文格式说明-台湾科技大学.docVIP

溫度控制成長硫化鋅奈米線與其光學性質 唐超、郭東昊、鄭如茵 台灣科技大學高分子工程系 (NSC96-2628-E-011-118-MY3) 本實驗利用化學氣相沉積法，將基板、鋅粉及硫粉放置於不同溫區，藉此控制成長出奈米線，其中成長出的奈米線直徑則為50-150奈米，長度最長可達100微米，經過X光粉未繞射儀系統（XRD）與能量散射光譜儀（EDX）等分析後，即可確定成長出之硫化鋅奈米線為wurtzite結構。接著在PL分析中，觀察到波長位於517nm的單一綠光波峰。 關鍵字：硫化鋅、一維材料、奈米線 1. 前言 自從奈米碳管（carbon nanotubes）被日本Iijima博士在1991 年首度發現後[1]，如同奈米棒、奈米線、奈米帶與奈米片等其他一維材料研究也在接下來幾年陸續被發表出來。而屬於Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的硫化鋅（ZnS）因具有優良的光電性質與本身電自活激發發光的特性（self-activated luminescence），一直被認為極具有潛力做為電子與光電奈米元件，因此相關應用也在不同的領域被發展出來，如光感測器、光觸媒、顯示器、半導體雷射等[2-5]，而製備高品質與純度的硫化鋅一維材料也就成為了當今許多研究團隊的重要課題之一。 最近幾年，許多團隊發表了許多成長硫化鋅一維材料的研究，例如Wang等人[6]將硫化鋅粉於900℃加熱揮發後成長出硫會鋅奈米線，接著Me