第六部分-表面分析的技术.pdfVIP

表面分析技术 College of MSE, CQU 1 前 言  表面分析的重要性 固体的表面状态，对于材料的性能，有着极其重要 的影响。例如，材料的氧化和腐蚀、强韧性和断裂行为、 半导体的外延生长等等，都与表面层或几个原子层以内 原子尺度上的化学成分和结构有着密切的关系。因此， 要求从微观的、甚至是原子和分子的尺度去认识表面现 象。 2  表面分析的难点 但是，由于被分析的深度和侧向范围是如此浅薄和 细微，被检测信号来自极小的采样体积，信息强度十分 微弱，重复性差，对分析系统的灵敏度要求也很高。 所以，直到六十年代前后，随着超高真空和电子技 术的突破，才使表面分析技术迅速发展起来。 3  表面结构及成分分析的主要技术  俄歇电子能谱分析（AES）  X射线光电子能谱分析（XPS）  场离子显微分析（FIM）  原子探针（Atom Probe）  离子探针（IMA）  低能电子衍射（LEED）  扫描隧道显微镜（SPM） 4 一、俄歇电子能谱分析  俄歇(Auger)过程和俄歇电子  1925年，法国科学家Pierre Auger 在用X射线研究某 些惰性气体的光电效应时，意外地发现了一些短小的电 子轨迹。轨迹的长度不随入射X射线的能量而变化，但 随原子的不同而变化。Auger认为：这一现象是原子受 激后的另一种退激过程所至。过程涉及原子内部的能量 转换，而后使外层电子克服结合能向外发射。他的发现 与所做的相应解释被证明是正确的。因此，用他的名字 来命名这种过程和发射的电子。 5  俄歇电子产生过程 入射电子使试样中某原子 KL L 俄歇电子 的内层（如K层）电子激发(打 2 3 飞)后，外层电子(如L 层电子) 2 高能电子 光电子 将回跃到内层(K层)来填补空位， 假如多余的能量(△E=E -E )不 L2 K 是以特征X射线的形式释放出来， L3 L 而是传给了外层(如L 层)的电 2 3 L 子，使之激发。这个过程称为 1 俄歇作用，由此产生的自由电 K 子称为俄歇电子。