电力电子的技术1.pptVIP

第1章　电力二极管和晶闸管 电力电子器件是电力电子电路的基础。因而掌握各种常用电力电子器件的特性和正确使用方法是我们学好电力电子技术的基础。本章将在对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作简要概述之后，分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 §1.1　电力电子器件概述1.1.1 电力电子器件的特征 主电路（main power circuit）：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的强电电路。 与处理信息的电子器件相比，电力电子器件一般具有如下的特征： 所能处理的电压电流较大。主电路功率达MW级。 电力电子器件一般都工作在开关状态。因为处理的电功率较大，为了减小本身的损耗，提高效率。 注重器件的功率损耗和散热问题。通常PE器件所能切换控制的功率很大，可达数kW，但本身所允许的功耗却只有100W左右。通常需要安装散热器，风冷或水冷。 器件发热的原因： 通态损耗：导通时有一定通态压降； 断态损耗：阻断时有一定断态漏电流； 开关损耗：包括开通损耗与关断损耗。开关过程中的电压、电流乘积较大，并且随开关频率的升高而增大。通常关断损耗大于开通损耗。 需要驱动与隔离。 强、弱电系统之间电气隔离，不共地，消除相互影响，减小干扰，提高可靠性。 注重对器件的保护。通常采用吸收（缓冲)）保护电路（Snubber）来限制器件的du/dt和di/dt，减小由于大电流跃变在引线（寄生）电感上形成的反电势尖峰，以防器件过压击穿。 1.1.2 电力电子器件的分类 半控型器件 通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。这类器件主要指晶闸管。 全控型器件 既可以控制其导通，又可以控制其关断。又称为自关断器件。目前最常用的是GTR\IGBT、电力MOSFET、 GTO。 不可控器件 电力二极管（Power Diode），只有两个端子，不能用控制信号来控制其通断，不需要驱动电路，器件的导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 按驱动信号的性质，又可分为电流驱动型（如GTR）和电压驱动型（如MOSFET、IGBT）两类。由于电压驱动型器件是通过加在控制极与公共端之间的电压产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态的，故亦称作压控器件或场控器件。 还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为双极型器件（GTR、SCR、GTO、二极管）、单极型器件（MOSFET）和复合型器件（IGBT）三类。由一种载流子参与导电的器件称为单极型器件；由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为双极型器件；由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件则被称为复合型器件，也称混合型器件。 §1.2　不可控器件——电力二极管 电力二极管的基本特性 伏安特性：主要关心的参数是正向通态压降UF，0.7~1.2V；反向漏电流IS，数十?A~数十mA；反向击穿电压。 开关特性 PN结上存储有空间电荷和两种载流子，形成电荷存储效应及结电容，直接影响着二极管的动态开关特性。 电导调制效应：当PN结外加正向电压，流过正向电流较大时，通过正向PN结两侧载流子存储量或电导率的自动调节作用，使得压降随着正向电流的增大而增加很少，基本维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态，通态压降很低。在GTR、SCR、IGBT、SITH和MCT等器件中，都存在着这种电导调制效应，因此它们的通态压降都很低。都是利用了正向PN结的电导调制效应的优点。 关断时间较长：外加电压由正偏转换为反偏时， PN结两侧的存储电荷并不能立刻消散， PN结低阻，在反压作用下形成较大的反向电流。直到两区的载流子被反压抽尽，才恢复反向阻断能力。这一过程称作反向恢复时间trr。 开通时间较短：外加电压由反偏或零偏转换为正偏的过程一般较快。 电力二极管的主要参数 1. 正向平均电流IF(AV)（额定电流） 所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。决定发热的因素本来是电流的有效值，但由于传统上二极管多用于整流，其输出负载通常需要平均电流来衡量其性能。然而实际选管时，还是需要考虑工作电流有效值（发热损耗）是否会超过允许的定额。应按照实际电流波形所造成的发热效应与工频正弦半波时的有效值相等的原则来选取电力二极管的电流定额，并应留有一定的裕量。 比如，峰值为IM的正弦半波电流对应的平均值 IF(AV)=IM/?（平均面积），其对应的有效值I= IM/ 2，故得I = (? /2) IF(AV) =1.57 IF(AV) 。 2. 正向压降UF 1V左右。 3. 反向重复峰值电压URRM 指所能重复施加的反向最高峰值电压。通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。 4.