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模板法自组装 下图为合成的多孔高分子材料的SEM照片，图5-26(a) 为材料的表面形貌，图5-26(b)为撕开的横截面形貌，显示了有序的大孔洞。如果在填充模板球空隙的液态前驱体中加入合适的模板剂，则填充液体能在一定的条件下自组装成有序的介孔结构，形成大孔和介孔复合的有序结构。图5-26(c)为具有两种不同孔径复合的多孔SiO2，显示两个长度范围内的有序排列，闭合的中空堆积(约120nm)和自组装纳米孔洞(4~5nm)。 模板法自组装 模板法自组装 气相催化自组装 这种方法可将同质一维纳米线或晶格高度匹配的异质一维纳米材料组装在一起，形成三维复杂的纳米结构。可区分为： 一步法： 将前驱反应物（包括催化剂）引入生长腔，通过一次生长制备出有序复杂纳米结构 二步法： 在预先制备的纳米材料（纳米线、纳米带）表面喷上一层催化剂、以此为基地气相外延二次生长出同质或异质纳米结构，最终形成三维复杂有序纳米结构 王中林教授的研究 ZnO有序纳米结构的气相催化自组装 王中林教授研究组采用直接高温蒸发ZnO和SnO2粉末制备出了三维复杂有序ZnO纳米结构 首先，作为主干的ZnO纳米线沿[0001]方向生长，速度很快，Sn液滴对径向生长影响很小，故径向具有均一的线径 第二阶段，表面的Sn液滴催化二次外延上涨ZnO纳米带，最终生成蝌蚪状的纳米带 利用表面张力和毛细管力自组装 利用这一技术，Lieber将纳米线成功进行了限域多层排列，实现了在限定区域内不同取向的一维纳米材料的可控自组装 在液体的表面或者体相中，通过毛细管力或表面张力的作用，将一维纳米材料自发地组装成微米尺度的有序结构 在液体表面自组装BaCrO4纳米棒 取向搭接自组装 取向搭接的概念是1998年R. L. Penn在Science上提出来的。取向搭接：就是在其他内部驱动力较弱情况下，纳米晶粒以相同的晶面相互结合在一起形成有序图案 纳米粒子在自组装过程中总是在做不停的布朗运动，当相同晶面彼此靠近时，因晶面上原子排列和晶格间距相同，故可形成更多的化学键，来降低体系的自由能 取向搭接提出后，受到了人们的关注，大量新颖的纳米结构被合成出来，许多生长机理也得到了合理的解释 K3[Fe(CN)6]水解制Fe2O3晶粒 Fe2O3枝晶的取向搭接生长示意图 K3[Fe(CN)6]水解制Fe2O3晶粒 Fe2O3枝晶的取向搭接自组装 有序纳米结构材料的特殊性质决定了其多个领域有重要的应用： （1）电子器件领域的应用 （2）光学器件领域的应用 （3）磁学器件领域的应用 （4）环境监测领域的应用 （5）高效能量转化领域的应用 （6）催化领域的应用 （7）医学领域的应用 高密度的纳米电路 刻印技术、电子束刻蚀技术、纳米掩膜刻印技术等先进技术的出现，为构筑更微型的线路提供了契机 高密度的纳米电路 单电子晶体管 单电子晶体管主要依据库伦阻塞效应，利用当前的微电子技术——互补金属氧化物半导体技术来设计和制备场效应晶体管 标准的Si n型沟道MOSFET示意图 图 (a) 在平滑Si基底上组装的Ge量子点有序阵列的AFM图像 (b)和(c)为将五条Ge/Si量子点/线在1000℃退火5min后得到的亮场和暗场下的TEM截面图 高性能电容器 将形成柱状微区结构的PS-PMMA的共聚物为掩膜纳米刻印技术和通用的半导体加工技术相结合可制备半导体电容器。 作为“漏极”的二氧化硅和氧化铝，通过热处理在硅基地上生长，形成具有高电荷存储能力的互补性金属氧化物半导体电容器 高性能电容器 单电子存储器 利用库伦阻塞效应，可设计具有高存储性能的 单电子存储器 “T”形存储器元件结构的示意图 (a) 电极分离式(b)相互交叠式 量子点光发射装置 发光的半导体纳米粒子与聚合物薄膜相结合，可组装形成新型光发射材料 例如，用CdSe/CdS核壳结构纳米粒子组装形成的薄膜，就可以直接用于LED的设计 量子点光发射装置 一维纳米材料有序阵列光发射装置 用高密度碳纳米管作为发射管，可增加发射电流强度和改善发射电流的均匀性，可提高激光器的性能 一维纳米材料有序阵列光发射装置 光过滤器 是指控制光在一定波长范围内通过的现象，光过滤现象在光通讯方面有广泛的应用。纳米材料可用作高效光过滤器的设计制造 复合材料的变色取决于膜中不同尺寸的金纳米颗粒对光的吸收性能，这一点也是设计纳米光过滤器的依据 光过滤器 光子晶体 光子晶体就是在微米、纳米等光波长的量级上，折射率呈现周期性变化的一种介质材料。按照折射率变化的周期性，可分为一维、二维和三维光子晶体 光在一定频率范围内通过有序孔时就会产生Bragg衍射，形成带隙。由于多重Bragg衍射，处于带隙能量范围的电磁辐射就不能在光子晶体中的任何一个方向传播 光子晶体 为提高