磁位置传感器应用.PDFVIP

磁位置传感器的应用 磁位置传感器的应用 摘 要 这种方式连接AMR 元件形成惠斯顿电桥时 这些节点 将产生一个是由供电电压 MR 比率和西塔 θ 角构 采用各向异性磁阻 AMR 传感器传感磁场位置 成的函数的差分电压 ∆V θ 角是元件上的电流和元 逐渐成为一种非接触测量运动物体位置的常用方法 件磁敏角度 M 之间的夹角 图2 描述了这种传感器 角度或线性运动物体 配有补充性的传感器或固定磁 电桥 铁 再附装上一块磁铁或传感元件 就可以定量确定 合成磁场的相关方向 使用多个传感器或磁铁可以增 外加磁场的方向 大角度或线性位置的测量范围 此应用说明解释了用 于位置测量的 AMR 传感器的原理 包括几个用以解 决工艺问题的有效寿命电路 AMR 传感器的原理 各向异性磁阻发生在某些含铁材料中 该材料可 以薄带形成使用而成为电阻元件 霍尼韦尔公司采用 了一种被称为坡莫合金的含铁材料 将其制成了四个 电阻元件构成一个惠斯顿电桥传感器 每个带状磁阻 图2 元件都具有以 cos2 θ 关系改变电阻的能力 其中 θ 西 AMR 电桥 塔 是磁矩 M 矢量和电流 I 间的夹角 图 1 示 出了有外加磁场和电流情况的坡莫合金元件 要使元件磁化方向与外加磁场一致 外加磁场必须 金属触点 坡莫合金 饱和 坡莫合金材料 与其它以线性方式工作的AMR 薄膜 传感器相反 位置传感是一种饱和方式功能 这就是说 NiFe 电流 外部磁场完全可对材料的磁化重新定向 对于霍尼韦尔 公司的磁位置传感器而言 必须在电桥上施加至少 80 高斯的磁场以实现期望的性能 小于 80 高斯的磁场虽 外加磁场 然会使一些电桥工作 但饱和程度不够 图1 输出信号 AMR 元件 为了用 AMR 元件构建传感器 须将四个元件布置成 HMC1501 和HMC1512 是霍尼韦尔公司AMR 型磁 金刚石形状 并通过金属化将它们的端部彼此连接在 位置传感器 它包含可在饱和方式下的AMR 传感器电 一起 以形成惠斯顿电桥 对四个首尾连接的相同元 桥 HMC150 1 含有一个可在±45° 范围内传感位置的 件施加 Vs 的直流电压源 剩余的两个节点用于测量 AMR 电桥 而 HMC1512 含有两个可在±90° 范围内传 (节点任意选取) 在不提供任何磁场 0 高斯 的情 感位置的 AMR 电桥 HMC1501 的电桥差分输出电压 况下 除了因 AMR 元件的制造公差而引起的少量补 ∆V 为 偿电压外 各个测量节点都应具有相同的电压 在用