“浙江师范大学---led芯片研发中心”.docVIP

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“浙江师范大学---led芯片研发中心”

“浙江师范大学---LED芯片研发中心” 超净室设备采购清单 序号 项目名称 设备、材质及工程技术要求 性能要求 主要技术指标 1 气体供应 及防护系统 一、总体功能描述: 气体供应及防护系统是为PECVD和TCP设备安全供应气体,保证PECVD和TCP设备的正常使用,对工艺尾气作处理,并实现远程监控与报警。 二、需供气体及要求 1.TCP刻蚀设备需供气体及要求 a. Cl2: 气压:1 kg/cm2,最大流量:100 sccm,纯度:4N 管径:1/4 VCR Male,管材:SUS316 b. BCl3: 气压:1 kg/cm2,最大流量:100 sccm,純度:4N 管径:1/4 VCR Male,管材:SUS316 c. He:气压:1 kg/cm2,最大流量:30 sccm,純度:4N CHF3:气压:1 kg/cm2,最大流量:500 sccm,純度:4N 管徑:1/4 VCR Male,管材:SUS316 d. Ar,N2,O2:气压:1 kg/cm2,最大流量:200 sccm,純度:4N 管径:1/4 VCR Male,管材:SUS316 2. PECVD设备需供气体及要求 a. SiH4 气压:1 kg/cm2,最大流量500 sccm, 管徑:1/4VCR Male,管材:SUS316,純度5%SiH4,95%N2 b. N2O 气压:1 kg/cm2,最大流量500 sccm 管徑:1/4 VCR Male,管材:SUS316,純度4N c. CF4/O2 气压:1 kg/cm2,最大流量500 sccm, 管徑:1/4VCR Male,管材:SUS316,純度 CF4 80%,O2 20% d. NH3 气压:1 kg/cm2,最大流量200 sccm 管徑:1/4 VCR Male,管材:SUS316,純度4N e. O2 气压:1 kg/cm2,最大流量500 sccm 管徑:1/4 VCR Male,管材:SUS316,純度4N f. PN2 气压:1 kg/cm2,最大流量500 sccm 管徑:1/4 VCR Male,管材:SUS316,純度4N 3.气源 a. #1 Room:SiH4、NH3放置于#1 Room气体房内。设备采用单钢瓶工艺供气系统,吹扫所使用高纯氮气接自惰性气体房工艺氮气面板,普通氮气接氮气罐。 气瓶柜采用半自动控制型式操作,钢瓶出口端设置EMO紧急切断阀门。气体设备接出来的管道穿墙后在吊顶上敷设。SiH4采用双套管,外层SS304AP内层SS316LEP。系统连接方式为VCR或全自动轨道焊接形式。 更换气瓶时对应的特气排放至燃烧水洗式尾气处理装置集中处理。 b.#2 Room:CHF3、CH4、N2、O2放置于#2 Room气体房。设备采用单钢瓶工艺供气系统,吹扫所使用高纯氮气接自惰性气体房工艺氮气面板,普通氮气接自气罐。 CHF3、CH4、N2、O2分别组成单瓶架,手动控制型式。 #3 Room: Cl2为腐蚀性气体,放置于#3 Room气体房。设备采用单钢瓶工艺供气系统,吹扫所使用高纯氮气接自惰性气体房工艺氮气面板,普通氮气接自气罐。 气瓶柜采用半自动控制型式操作,钢瓶出口端设置EMO紧急切断阀门。气体设备接出来的管道穿墙后在吊顶上敷设。Cl2采用 SS316LEP管材。系统连接方式为VCR或全自动轨道焊接形式。 更换气瓶时对应的特气排放至燃烧水洗式尾气处理装置集中处理。 三、系统构架及要求 1.气路基本要求: a.各种气体管道应设置明显标志。 b.所有系统设计都必须遵从SEMI S2和FM7-7标准。 c. 按照需求设计吹扫和气管路。 d.抽气管路必须遵从本地编码及适用的工业规范、安全政策。 2.气瓶柜结构 (1)气瓶柜构造 a.气瓶柜面板应该是厚度大于等于2.5mm的钢板并涂有抗腐蚀环氧涂层,并且所有材料都必须是非易燃的。 b.气瓶柜全表面都不能有震动,锋利的边缘及可能导致操作人员受伤的其他缺陷。 c.气瓶柜的底板厚度应该大于等于3.4mm,并铺盖有防滑垫片以抵抗更换钢瓶时的磨损。 d.气瓶柜的底面设计要便于放置或移走钢瓶而不必调整钢瓶高度。 e.气瓶柜的门,管路线路通道,窗及其他孔洞必须安装密封圈以防止泄漏。 f.气瓶柜要适当的密封。 g.进气窗口要安装灰尘过滤器。 h.气瓶架四面不必有面板但必须要有支架。 i.所有气瓶柜应该标明内部存储气体的种类及其精确浓度。气瓶柜内部所有的管路及阀件应该标明其作用,例如供气,吹扫或排气。 (2)气柜门 a.气柜门可以自动关闭,自动卡锁及用钥匙锁定。 b.气柜门可以打开90度角以上以便正常操作。 c.所有的气柜门及窗子使用同样的钥匙。 d.气柜门可以平稳的打开及关闭,保证在开关是不产生火花。 (3)气瓶柜的操作窗口 a.操

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