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PECVD工艺培训 彭文磊 2011.01.12 目 录 总述 PECVD设备简介 3 PECVD的基本原理与工艺 4 PECVD检测介绍 5 注意事项 1、PECVD工序在太阳电池制造中的位置 清洗制绒 磷扩散形成p-n结 腐蚀，去磷硅玻璃 PECVD 沉积SiNx 印刷 烧结 测试 分选包装 2、二厂PECVD设备介绍 设备厂家：上下料设备——台达 PE设备——ROTHRAU PECVD设备有三个腔体，分别是上料腔，工艺腔（包括预热、沉积和冷却三部分）和下料腔。各腔体直接有闸门阀隔开。 gate1 gate2 gate3 gate4 石墨载板 载板外观图 挂钩，支撑电池片 尺寸：158*158 5*9=45 PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition（等离子增强型化学气相沉积） 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。 原理： PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 反应方程式：3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑ 3、PECVD原理及作用 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H。 其物理性质和化学性质： 结构致密，硬度大能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4 SiNx的优点： 优良的表面钝化效果 高效的光学减反射性能（厚度和折射率匹配） 低温工艺（有效降低成本） Si3N4膜的作用: 减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 ? U型槽 U型槽 NH3入口 Si3H4入口 特气管 石英管，及导电铜管 等离子源 U型槽截面图 石墨载板 石英管 磁体 铜管 氨气入口 高密度等离子区 硅烷入口 硅片 4、PECVD检测介绍 目前我们使用为SENTECH的SE 400adv PV 激光椭偏仪 测量： 对太阳能电池采用不同的测试样品台。其中金字塔绒面单晶硅电池采用倾斜样品台测试，其他绒面的单晶硅和多晶硅电池采用水平固定样品台测试。 选择预选设定的针对太阳能电池的Recipe，并点击“Measure” 按钮后开始运行测量。当次测量结果显示在软件右上位置。在Protocol中关注deg of polarization（偏振角度）值要大于0.95。 5、操作流程及注意事项 1.目的 本文规定了C2 PECVD工序的基本操作流程。 2.适用范围 本规定适用于C2 PECVD工序。 PECVD操作流程： 3、内容 3.1 生产准备 3.1.1 进入车间时必须穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、手套和防尘口罩，衣着标准严格按照6S执行，不得穿着工作服在车间外活动，进入车间必须走风淋室。 3.1.2做好工艺卫生，接班后用酒精和无尘布擦拭机器传送带，使自动上下料设备保持清洁，并及时清理碎片。 3.2 操作流程 3.2.1启动工艺 在Roth＆Rau操作界面上，进入OP操作界面，点击“控制”，选择设定的工艺，启动工艺。等到等离子源全部启动之后，对石墨板预热至少一轮之后，进行生产。 3.2.2上料 装满去PSG后硅片的Schmid花篮运输到PECVD上料台，保证扩散面向下。启动上下料设备，进入自动状态，进行生产。并确保PSG后硅片产出一小时内进入PECVD镀膜。 3.2.3镀膜检测与不良检验 镀膜检测：硅片镀膜之后，选取石墨板规定位置的硅片检验膜厚与折射率。 不良检验：在上下料设备的lift处每4板，随机抽取一列观察其镀膜情况，若有不良及时返工。 3.2.4下料 将空的Baccini花篮放在卸料台上，硅片镀膜之后，由上下料设备装入片盒，将片盒从下料台上取下，送到丝网印刷工序。 3.2.5设备PM事项 3.2.5.1设备PM或开腔体之后需将载板空跑一轮后方可生产，空运行期间由工艺人员调整工艺。 3.2.5.2开始生产时，先做1板硅片进行跟踪，如果膜厚折射率异常，及时通知工艺人员进行调整，异常消除后方可生产。 3.