芯片培训2.pptVIP

此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 第三部分：VDMOS产品工艺流程 芯片加工： 栅氧化 淀积多晶硅 第三部分：VDMOS产品工艺流程 多晶硅光刻 P-注入 第三部分：VDMOS产品工艺流程 P+光刻 P+注入 第三部分：VDMOS产品工艺流程 P阱推结 N+光刻 第三部分：VDMOS产品工艺流程 N+注入 淀积BPSG 第三部分：VDMOS产品工艺流程 引线孔光刻 淀积铝 第三部分：VDMOS产品工艺流程 刻蚀铝 第三部分：生产流程 合金 背面金属化 第三部分：VDMOS产品工艺流程 管芯制造后照片 第三部分：VDMOS产品工艺流程 目录 第一部分：MOSFET介绍 第二部分：VDMOS主要参数 第三部分：VDMOS工艺流程 第四部分：产品应用领域和公司主要产品 第五部分：VDMOS产品注意事项 2.5 600 4 TO-220C/220F JCS4N60 0.54 400 10 TO-220C/220F JCS740 0.8 500 8 TO-220C/220F JCS840 0.4 200 9 TO-220C/220F JCS630 12 600 1.0 TO-251/252/220C/220F/92 JCS1L60 5 600 2 TO-220/220F/251/252 JCS2N60 1.2 600 7 TO-220/220F/263 JCS7N60 1.5 500 4.5 T0-220C/220F JCS830 1 400 5.5 T0-220C/220F JCS730 Rds(on)（R） BVdss(V) Id(A) 封装形式 产品 参数 JCS 2 N 60 C 封装类型 D-S 电压额定值 沟道类型 Id连续电流额定值 华微产品 MOSFET产品标识说明 封装形式代码： M AN W B V I C 代码 TO-126 TO-3PN TO-247 TO-262 I-PAK TO-251 TO-22O 品种 MF TO-126F T TO-92 AB TO-3PB S TO-263 R D-PAK TO-252 TO-22OF 品种 U F 代码 芯片尺寸： JCS7N60 JCS4N60 JCS2N60 JCS1N60 JCS840 JCS740 JCS830 JCS730 JCS630 品种 F2N60 F1N60 F4N60 F418A5 F418A4 F7N60 F322A5 F322A4 F9N20 芯片命名 目录 第一部分：MOSFET介绍 第二部分：VDMOS主要参数 第三部分：VDMOS工艺流程 第四部分：公司现有VDMOS产品汇总 第五部分：VDMOS产品注意事项 控制要点： SiO2腐蚀剖面形状BHF10:1和12:1的差别。 poly干法刻蚀oxide控制 注入稳定性 注入后去胶：不能用H2SO4,因注入后光刻胶成分变化，用干法去胶。 N+注入As，扩散速度比P慢，有利于产品特性，扩散更陡直，开关时寄 生效应更严重 PSG掺磷量和厚度均匀性，回流效果（BPSG更好），Wet+Dry工艺 PSG回流稳定性，决定了N+反压的宽度 Al：不用纯铝Si-Al合金，单纯的Al有尖峰，另外有spike效应（图片） Al腐蚀，使用干法或旋转腐蚀，否则侧向钻蚀很严重 第四部分： VDMOS产品注意事项 静电防护： 栅氧化层：1000埃，击穿电压约为60－65V 栅氧化层：580埃，击穿电压约为45-55V 第四部分： VDMOS产品注意事项 42V未击穿 48V已击穿 EPA： 第四部分： VDMOS产品注意事项 一致性控制： 目前存在的参数偏离问题，Rds(on)、Vth等 生产周期偏长问题，影响合格率 设备运行不稳定，如注入机等 第四部分： VDMOS产品注意事项 第十一部分：结束语 谢谢大家 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 此部分简单介绍VDMOS和双极器件的区别 VDMOS产品培训-项目组 VDMOS产品介绍 器件基础 什么是半导体？ 导电率介于导体和绝缘体之间 电阻率能够被掺杂杂质所控制 半导体：硅和锗 复合半