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新型ph-isfet芯片系统研究探究anewtypeof
第 29 卷第 10 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.29No.10
2007 年 10 月 Journal of Electronics Information Technology Oct. .2007
新型 pH-ISFET 芯片系统研究
①② ①② ① ① ① ①
汪祖民 任振兴 韩泾鸿 边 超 杨海钢 夏善红
①(中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 北京 100080)
②(中国科学院研究生院 北京 100049)
摘 要：该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标
准CMOS工艺实现了基础集成芯片，探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺，着重研究电
聚合法制备的H+敏感PPy膜；与采用低温Ta O 敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度
2 5
54mV/pH，响应时间 0.1s，在pH1～12 范围内线性相关系数 99.99%的优良性能。
关键词：离子敏场效应管；片上系统；聚吡咯；五氧化二钽；敏感膜
中图分类号：TP212 文献标识码：A 文章编号：1009-5896(2007)10-2525-04
A New Type of the System-on-Chip Based on pH-ISFET
①② ①② ①
Wang Zu-min Ren Zhen-xing Han Jing-hong
① ① ①
Bian Chao Yang Hai-gang Xia Shan-hong
①
(State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics,CAS, Beijing 100080, China)
②
(Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
Abstract: A new type of System-On-Chip (SOC) integrated with ISFET/REFET/PRE and their signal detection
circuits is developed. Carring out the basic chip with commercial standard CMOS processes, the preparation
technique of sensitivity membrane compatible with the SOC and interrelated follow-up processes are explored, the
H+ sensitive Polypyrrole (Ppy) membrane is emphatically studied by electrochemical polymer
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