基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计s79qkgog.docVIP

基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计-电气论文 基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计 王善屹1，郭筝1，楼颖颖2，钱亮2 （1.上海交通大学微电子学院，上海200240；2.上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海202103） 摘要：针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化，以原有的6层掩膜板为基础，对掩膜板层数进行削减，用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板，工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标，通过设计具体工艺参数，并对其进行仿真，以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。 关键字：功率器件；沟槽型功率器件；掩膜板；工艺仿真 中图分类号：TN386.1?34 文献标识码：A 文章编号：1004?373X（2015）20?0146?04 收稿日期：2015?04?10 Technological design of three?layer mask technology based on trench type MOSFETWANG Shanyi1，GUO Zheng1，LOU Yingying2，QIAN Liang2 （1. School of Microelectronics，Shanghai Jiao Tong University，Shanghai 200240，China；2.Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation，Shanghai 201203，China） Abstract：The innovation and optimization for the traditional technology process of low?voltage power device were conduct?ed. Based on original six?layer mask，the mask layers were reduced. The functions of protecting ring mask，working area maskand N+ area mask are were replaced by the contact hole mask. The electrical parameters of the device were simulated by design?ing the specific technology technological parameters，the feasibility of the technology was verified. The proposed parameters anddesign scheme are suitable for production and manufacture of all low?voltage MOSFETs. Keywords：power device；trench MOSFET；mask；technology simulation 半导体功率器件是进行功率处理的半导体器件，也是电子科技技术发展的基础与核心。随着新兴产业的兴起和社会的进步，其应用领域也逐渐拓宽，从最初的电源、开关到如今的显示、节能，甚至环境保护等不同领域都有广阔的应用前景。功率半导体器件已成为半导体技术研究的重要方向之一，同时也产生了功率电子学新的学科分支。然而随着半导体器件集成度的日益提升，使得单颗芯片的售价越发低廉，从而增加企业制造成本。本文通过对现有的功率器件制造工艺进行创新，提出不同于传统的新型三层掩膜板工艺制程。 1 功率器件的发展 在20世纪70年代末，功率金属?氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）诞生后[1]，使得整个半导体功率器件的使用发生了质的改变。功率MOSFET器件与其他功率器件相较之下有许多优点。首先，其工作频率也高于其他类型的功率器件（可达100 MHz）。此外，功率MOSFET器件导通电阻具有正温度系数，所以不会存在二次击穿现象，易于并联工作。其次，由于功率MOS?FET 属于电压控制电流的压控装置，其具有输入阻抗高，电流增益大等电性优点[2]。然而随着器件集成度的要求日益增加，普通的MOSFET在结构上已经不能满足市场的需求。因此，另一种形式纵向垂直结构的VVMOS（V型槽），VUMOS（U型槽）VDMOS（纵向平面双扩散）诞生了[3]。这种纵向结构不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108 W）[4]、驱动电流小（0.1 μA左右）