- 1、本文档共30页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
PAGE
PAGE 3
氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片
性能的影响分析和研究
摘 要
作为一种器件表面介质膜,SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中,发射结表面钝化和减反射一直是其研究的主题。电池正面发射结不仅要求表面钝化层有优良的钝化性能,同时也要求介质层能够与表面层减反射膜一起产生很好的减反射效果,从而进一步提高太阳电池器件的光生电流、开路电压以及电池效率。
本文阐述了高效太阳电池研究中正面发射结上的钝化与减反射工艺与原理,重点对PECVD法制备SiNx的钝化机制,H 钝化进行了详细的分析。主要对生产中常使用的管式PECVD和板式PECVD制备的薄膜,通过少子寿命测试仪(WT2000)检测少子寿命,椭偏仪测试膜厚和折射率,积分反射仪测试反射率以及利用HF腐蚀来检验薄膜致密性等手段对薄膜性能进行了分析和比较。又对板式PECVD制备薄膜条件进行了优化。研究发现,氮化硅最佳的沉积条件是:温度370℃,SiH4:NH3=500:1600,时间3min;获得了沉积氮化硅后硅片少子寿命高钝化效果好、膜厚与折射率搭配好反射率低的工艺条件。
关键词:氮化硅薄膜;PECVD;减反膜;钝化;太阳能电池
THE PASSIVATION OF SILICON NITRIDE FILM ON SOLAR CELLS ANALYSIS AND RESEARCH
ABSTRACT
As a dielectric thin film of device, SiNx has been widely used in IC and Solar cells manufacturing . In the research and investigation of high efficiency silicon solar cell, the passivation of front emitter and anti reflection has been their focus. Because,for the front emitter, we need it have excellent passivation quality and good antireflection property, in this way to improve the Isc and Uoc, further more to get much high efficiency.
In this thesis we describe the passivation Antireflection of high efficient Silicon Solar cells on the front emmiter and then we focus on PECVD analysising the Mechanism of hydrogen passivation. In the experiments I used the tubular and plate PECVD preparing silicon nitride thin film.Then,I texted minority carrier lifetime by minority carrier lifetime tester(WT2000),film thickness and refractive index by ellipsometer,reflectivity by D8 integral reflectivity,and using HF solution tested the film density.These were used to ailalyze the properties of silicon nitride films.Another,Improving the condition of the plate PECVD deposition .The results show that the temperature of deposition is 370, SiH4:NH3=500:1600, time:3min.In this condition Silicon have a good passivation quality, film thickness and refractive index well matching and low reflectance.
KEY WORDS: silicon nitride film ; PECVD; ACR; passivation; silicon solar cells
目 录
您可能关注的文档
最近下载
- 《基于核心素养的初中语文“活动·探究”单元整体教学设计研究》课题研究方案.doc
- 四年级上册数学第二单元《练习三》教学课件(苏教版).pptx
- (最新)24年秋统编四年级语文上册习作:我的家人(精品课件).pptx
- 货币政策与财政政策配合的中国实践及经验.docx VIP
- 三年高考2024-2025高考地理真题分项汇编地球上的大气含解析.pdf VIP
- 经典诗文诵读技巧.ppt
- 五星级酒店功能区与面积配置(推荐保存).pdf
- 2024年山东省济南市莱芜区中考一模语文试卷(含解析).pdf VIP
- 2023版建筑三类人员a证题库含答案全考点.docx
- (人教版2024)物理八年级上册第二单元 声现象 大单元教学设计.docx
文档评论(0)