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1 3.2 光检测器  3.2.1 光电二极管工作原理 光电二极管(PD)把光信号转换为电信号的功能， 是由半导体PN结的光电效应实现的。 2 光电二极管的物理原理 光电二极管实际上是一个加了反向偏压的pn结 当反向偏压足够大时 耗尽区自由载流子被 完全耗尽 3 当光照射到光电二极管的光敏面上时，会在整个耗尽区 (高场区) 及耗尽区附近引起受激跃迁现象，从而产生电子空穴对。 耗尽区受到光的照射 p n hv 4 产生的电子空穴对在外部电场作用下定向移动，被电极收集产生电流 载流子的收集 p n E 光生电流 I 5 电载流子在移动的过程中： 电子和空穴的扩散长度 电子 - 空穴对会重新复合而消失 载流子处在较高的能态 L 载流子寿命过短 - 载流子无法到达电极变成光生电流 6 光电二极管的工作原理 1. pn结加一个较高的反向偏压 2. pn结耗尽区受到光的照射产生光生载流子 3. 在外部偏压的作用下，光生载流子定向漂移产生光生电流 外加反向偏压抽取光能量的过程 由于受激吸收仅仅发生在PN结附近，远离PN结的地方没有电场存在，因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode，PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。 7 3.2.2 PIN 光电二极管 PIN光电二极管的产生 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。 8 9 PIN光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。 中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体，用Π(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示。 I层很厚， 吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。 两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。 另外，可通过控制耗尽层的宽度w，来改变器件的响应速度。 10 11 12 式中， hf 为光子能量， e为电子电荷。 PIN光电二极管具有如下主要特性：qq (一) 量子效率和光谱特性。 光电转换效率用量子效率η或响应度ρ表示。量子效率η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值 响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 13 （1）量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。 假设器件表面反射率为零，P层和N层对量子效率的贡献可以忽略， 在工作电压下，I层全部耗尽，那么PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为 式中，α(λ)和w分别为I层的吸收系数和厚度。由式(3.15)可以看到，当α(λ)w1时，η→1，所以为提高量子效率η，I层的厚度w要足够大。 14 有一个InGaAs光电二极管，在100ns内共入射了波长为1300 nm的光子6×106 个，产生了 5.4×106 个电子空隙对，则其量子效率可以等于： 实际检测器的量子效率一般在30%-95%之间。增加量子效率的办法是增加耗尽区的厚度，使大部分的入射光子可以被吸收。但是耗尽区越宽，pin的响应速度会变慢。因此二者构成一对折衷。 例 15 光电二极管的性能常使用响应度 来表征： 例：能量为1.53 × 10-19 J的光子入射到光电二极管上，此二极管的响应度为0.65 A/W，如果入射光功率为10 mW，则产生的光电流为： pin的响应度 在1550 nm处典型响应度为0.7 A/W 16 （2） 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱α(λ)，对长波长的限制由式(3.6)确定，即λc= hc /Eg。 图3.22示出量子效率η和响应度ρ的光谱特性，由图可见，Si 适用于0.8~0.9μm波段，Ge 和InGaAs 适用于1.3~1.6 μm波段。响应度一般为0.5~0.6 (A/W)。 17 18 不同材料吸收系数as(l)与波长的关系 截止波长lc由其带隙能量Eg决定： lc = hc / Eg (1) l入射 l截止 hv入射不足以激励出电子 (2) l入射 l截止 材料对光子开始吸收 (3) l入射 l截止 材料吸收强烈 (as很大) 光的透射力变得很弱 19 例6.1 有一个光电二极管是由GaAs材料组成的，在300k时其带隙能量为1.43eV，其截止波长为： 特定的半导体材料只能应用在有限的波长范围内，其上限截止波长为： 因此，检测器不能用于波