《现代CMOS工艺基本流程》课件.ppt

现代CMOS工艺基本流程 现代CMOS工艺 基本流程 选择衬底 热氧化 Si3N4淀积 光刻胶成形 Si3N4和SiO2刻蚀 隔离浅槽刻蚀 除去光刻胶 SiO2淀积 化学机械抛光 除去Si3N4 平面视图 光刻胶成形 磷离子注入 除去光刻胶 光刻胶成形 硼离子注入 除去光刻胶 退火 平面视图 牺牲氧化层生长 除去牺牲氧化层 栅氧化层生长 多晶硅淀积 光刻胶成形 多晶硅刻蚀 除去光刻胶 平面视图 多晶硅氧化 光刻胶成形 NMOS管衔接注入 除去光刻胶 光刻胶成形 PMOS管衔接注入 除去光刻胶 Si3N4淀积 Si3N4刻蚀 光刻胶成形 NMOS管源/漏注入 除去光刻胶 光刻胶成形 PMOS管源/漏注入 除去光刻胶和退火 平面视图 除去表面氧化物 Ti淀积 TiSi2形成 Ti刻蚀 BPSG淀积 BPSG抛光 光刻胶成形 接触孔刻蚀 除去光刻胶 TiN淀积 钨淀积 钨抛光 平面视图 Metal1淀积 光刻胶成形 Metal1刻蚀 除去光刻胶 平面视图 IMD淀积 IMD抛光 光刻胶成形 通孔刻蚀 除去光刻胶 TiN和钨淀积 钨和TiN抛光 平面视图 Metal2淀积 光刻胶成形 Metal2刻蚀 除去光刻胶 平面视图 钝化层淀积 钝化层成形 平面视图 完成 略有不同的另一个工艺流程 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 IMD抛光 CMP Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 Photoresist 光刻胶成形 用于定义通孔(Vias) Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 通孔刻蚀 基于氟的RIE，获得垂直的侧墙 提供金属层之间的连接 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 Tungsten Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug TiN和钨淀积 同第一层互连 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug 钨和TiN抛光 同第一层互连 Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 Via1 完成通孔 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2淀积 类似于Metal1 厚度和宽度增加，连接更长的距离，承载更大的电流 Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 光刻胶成形 相邻的金属层连线方向垂直，减小层间的感应耦