半导体物理基础 PN结课件.ppt

1 63 2-5 隧道电流 64 2-5 隧道电流 图2.12（c）：最大隧道电流的状态。P区有足够的空闲状态能够接收电子的隧道击穿。 图2.12（d）：偏压进一步增加， P区相应的空闲状态变少，电流变小。直至为0。 图2.12（e）：加反向偏压。反向隧道电流随着反向偏压的增加而增加。 65 2-5 隧道电流 66 2-5 隧道电流 67 2-5 隧道电流 正向偏压时隧道电流随着电压升高的变化：出现——增大——最大——减小——最小——为0。 68 2-5 隧道电流 二、隧道二极管 I/V曲线受扩散电流和隧道电流影响。 当某一个极上加正电压时，通过管的电流先将随电压的增加而很快变大，但在电压达到某一值后，忽而变小，小到一定值后又急剧变大； 如果加反向偏压，电流则随电压的增加而急剧变大。因为这种变化可以用量子力学中的“隧道效应”加以说明，故称隧道二极管。 69 2-5 隧道电流 （a）江崎二极管 电流-电压特性 70 2-5 隧道电流 隧道二极管的主要特点 1、隧道二极管是利用多子的隧道效应工作的。由于单位时间内通过结的多数载流子的数目起伏较小，因此隧道二极管具有较低的噪音。 2、隧道结是用重掺杂的简并半导体制成，由于温度对多子涨落的影响小，使隧道二级管的工作温度范围大。 71 2-5 隧道电流 3、由于隧道效应的本质是量子跃迁过程，电子穿越势垒极其迅速，不受电子渡越时间的限制，因此可以在极高频率下工作。 了解产生隧道电流的条件。 ?画出能带图解释隧道二极管的I－V特性。 了解隧道二极管的特点和局限性。 72 2-6 I-V特性的温度依赖关系 根据公式（2-6-3）反向电流随温度升高而增加。 PN结中的电流包括扩散电流、空间电荷区产生与复合电流和隧道电流。 无论是正向偏压还是反向偏压，随着温度的增加，都是以扩散电流为主。 给定电压，电流随温度升高而迅速增加。对于硅二极管，在室温（300K）时，每增加 ，电流约增加1倍。 73 2-6 I-V特性的温度依赖关系 电压随温度线性地减小，对于硅二极管，系数约为 。 结电压随温度变化十分灵敏，这一特性被用来精确测温和控温。 74 2-6 I-V特性的温度依赖关系 75 2-7 耗尽层电容 耗尽层宽度是偏置电压的函数。 随着偏置电压的增、减，空间电荷区的电荷也不断的变化。 耗尽层内空间电荷随偏压变化所引起的电容，称为PN结的耗尽层电容，也称为势垒电容和过渡电容。 76 2-7 耗尽层电容 2.7.1 C-V关系 对于单边突变结，根据耗尽层宽度公式2-2-1，空间电荷区所存储的电荷为 77 2-7 耗尽层电容 由电容定义 得到 C称为过渡电容或耗尽层电容有时亦称为势垒电容： PN结空间电荷区空间电荷随外加偏压变化所引起的电容。 78 2-7 耗尽层电容 常用 － 关系： 1、根据该图中的直线斜率可以计算出施主浓度。 2、使直线外推至电压轴可求出自建电压。在截距处 79 2-7 耗尽层电容 由 可见反向偏置的P-N结可以作为电容使用在LC调谐电路中。专门为此目的制造的二极管称为变容二极管。 80 2-8 PN结二极管的频率特性 器件处理连续波时所表现出来的性能叫做器件的频率特性。 器件处理数字信号和脉冲信号时，在两个稳定状态之间跃变，跃变过程中表现出来的特性叫做开关特性，也叫做瞬变特性 31 2-2 加偏压的PN结 （c）加反向电压，耗尽层宽度W’W 32 2-2 加偏压的PN结 正向偏压：势垒削弱，扩散被加强，电流大。 反向偏压：势垒加强，扩散被抑制，电流小。 当偏离平衡态之后，费米能级出现分裂。 费米能及与载流子浓度相关联。而电流与费米势的梯度有关（1-12-5和1-12-6）。 33 2-2 加偏压的PN结 在电中性区，多数载流子浓度仍然保持相应的平衡数值，因此在这些区域中的准费米能级并没有偏离平衡费米能级。 在空间电荷区，载流子浓度不发生变化，因此准费米能级不变。 准费米能级的分裂表明：在紧靠耗尽区的电中性区内，出现了过量载流子。 34 2-2 加偏压的PN结 在反向偏压下，耗尽近似仍然成立。 单边突变结的耗尽层宽度为 耗尽层的宽度随反向偏压的增加而增加。 35 2-2 加偏压的PN结 在正向偏压下，如果电流不大，耗尽近似仍然成立。 但当电流增大时，空间电荷区的载流子浓度会与杂质离子浓度可比拟，耗尽近似不再成立。 一般来说，在正向偏压下，耗尽近似不成立。 36 2-2 加偏压的PN结 2.2.2少数载流子的注入与运输 正向偏置条件下，电子从N区扩散到P区，空穴从P区扩散到N区。 1、扩散近似 nn0