《第二章MEMS设计基础-1》课件.ppt

杨大勇 第二章MEMS设计基础 内容提要 一、硅晶体结构与微观力学分析假设 1、硅的晶面/晶向 硅的晶胞结构 晶面与晶向 各向异性 2、微观力学分析假设 二、MEMS微尺度效应 1、几何结构学中的尺度效应 微镜 Optical MEMS Microoptoelectromechanical System (MOEMS) 微反射镜移动或转动 微镜 2、刚体动力学中的尺度效应 3、静电力中的尺度效应 4、电磁场中的尺度效应 5、电学中的尺度效应 6、流体力学中的尺度效应 ………… 2、刚体动力学中的尺度效应 3、静电力中的尺度效应 4、电磁场中的尺度效应 5、电学中的尺度效应 6、流体力学中的尺度效应 三、 MEMS中的材料应用及进展 1 单晶硅 硅材料除了具有良好的半导体性能，还有良好的机械性能，如强度、硬度、热导、热膨胀等。硅材料质量轻，密度是不锈钢的 1/3.5，而弯曲强度为不锈钢的 3.5 倍，其热导性是不锈钢的 5 倍，而热膨胀系数却不到不锈钢的 1/7， 能很好的和低膨胀 合金连接，并避免产生热应力。 实际的机械性能取决于制成器件后硅的结晶取向、几何尺寸、缺陷以及在生长、抛光、随后处理中积累的应力情况。设计得当的微活动结构,如微传感器,能达到极小的迟滞、 蠕变、高重复性和长期稳定性。 除此之外，硅还对许多效应敏感，也是传感器的首选材料之一，采用硅材料制作传感器有利于解决长期困扰传感器领域的 3 个难题：迟滞、重复性和长期漂移。所以目前结构材料首选仍然是以硅为主。 1962 年第一个硅微型压力传感器问世，现在国内外出现了各种微型传感器，包括压力、加速度、气体、湿度、生化传感器等。除了微型传感器，还出现了微型执行器、微型机器人、微型动力系统。1988 年美国加利福尼亚大学柏克利首次制作出转子直径为 60μm 的静电微电机，而我国清华大学92 年研制的同步式静电微电机，在技术性能上已远远超过美国第一台同类微电机的水平。 2 多晶硅材料 多晶硅是许多硅单晶的无序排列。 多晶硅薄膜具有特有的导电特性，其导电性可以通过控制掺杂原子浓度来调节。多晶硅膜具有较宽的工作温度（-60～300℃）、可调电阻特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数，易于实现自对准工艺的工艺特点，在大规模集成电路的制备中有着广泛的应用。在 MEMS中常用于做结构材料和牺牲层技术。代表性产品是硅压力传感器。 3 多孔硅材料 多孔硅是一种重要的微机械加工材料，具有很多重要的性质：多孔硅具有荧光现象和电致发光特性，可以作为发光器件；由于其结构上的多孔，它的介电常数会随进入孔内的气体而改变，利用这种性质可以制造气敏、湿敏传感器。 多孔硅还可用于做隔离层。制成厚膜作为硅基射频无源器件与衬底之间的隔离层，其介电性能高于单晶硅，还能大大降低衬底损耗。 4 硅化物材料 硅化物如TiSi2,CoSi2, PtSi等在VLSI 中作为接触和互联材料有广泛的应用，它们的电阻率比多晶硅更低，大大减少了期间的互联电阻和接触电阻，显著改善了器件的导电特性。 硅化物的制备工艺与表面微机械制备技术兼容，但是硅化物有较大的应力。至于如何减少硅化物的应力还有待于进一步的研究、解决。 5 硅化物高温半导体材料 SiC由于有良好的机械性能和电性能而受到人们的关注。SiC 表现出高强度、大刚度、内部残余应力低，有较好耐高温和耐腐蚀性，能克服硅基材料不适合在恶劣的环境下工作的缺点。 这些特性使 SiC 适合制造高温、高功率及高频电子器件，高温半导体压力传感器。 目前已经开发出碳化硅高温温度、气体、压力传感器。目前已开发的高温温度传感器有刚玉基片上的 SiC 热敏电阻和硅衬底上的 SiC 热敏电阻两种。 6 压电材料 ZnO 和 PZT 等压电材料对 MEMS 有极大的吸引力，因它有电和机械互相转换的性能，即加电到压电材料会使其变形，相反的加应力会使其产生电压。 利用其正压电效应可制成机械能的检测器，利用逆压电效应可制成制动器（执行器）。 美国伯克利的研究人员成功地研制基于 ZnO 压电薄膜的悬臂式麦克风和扬声器。它是用硅微加工的方法在硅片上制成2000μm×2000μm×4.5μm 的多层结构悬臂膜片。 7 铁电材料 其突出的力、热、电、光耦合性能可以广泛用于MEMS系统。 铁电材料广泛应用于存储技术，铁电-硅微集成系统的发展导致了新型存储器的出现和发展。 最近的研究表明：某些金属氧化物(如 LaSrCoO3,SrRnO3)电极相对纯金属电极（Pt）可能会大大改善铁电膜的品质。 8 磁致伸缩材料 磁致伸缩材料和压电材料一样是双向工作的。 在MEMS 中作为驱动器和接受器，在主振动、精密定位、超声波发生器中均有应用。 超磁致伸缩材料的伸缩系数大，能量密度高，机电耦合系数大，响应速度快、输出力