二极管和晶体管-精选版.pptVIP

120 100 80 60 40 20 .4 .8 1.2 1.6 + I - V + V - I Breakdown voltage Leakage current Reverse bias curve Forward bias curve Junction voltage Figure 3.9 硅二极管的正偏与反偏电学特性 Physical structure p n p Emitter Collector Base B C E pnp transistor Schematic symbol Physical structure B C E Emitter Collector Base n p n npn transistor Schematic symbol Figure 3.10 两种双极晶体管 Lamp 1.5 V n p n S1 B C E 3 V Nonconduction mode Conduction mode Electron flow e- e- h+ 1.5 V n p n S1 B C E 3 V Lamp Figure 3.11 NPN 晶体管的偏置电路 Nonconduction mode 1.5 V p n p S1 B C E 3 V Lamp Conduction mode Hole flow h+ e- 1.5 V p n p S1 B C E 3 V h+ Lamp Figure 3.12 PNP 晶体管的偏置电路 p- substrate n+ p n+ Metal contact C E B Figure 3.13 NPN BJT的剖面图 肖特级二极管 肖特级二极管是由金属和轻掺杂的n型半导体材料接触形成的（图3.14）。这种形式器件的工作原理与普通二极管相似－－正偏时低电阻，反偏时高电阻。硅肖特级二极管的正向结电压降（0.3～0.5V），几乎是硅pn结二极管（0.6～0.8V）的一半。肖特级二极管的最大优势是其电导完全取决于电子，这使其从开到关的时间更快。 肖特级二极管的发明使双极集成电路技术得以在21世纪继续应用。肖特级二极管的概念已用于高速和更高功效的双极集成电路的发展中。 Schottky contact Normal ohmic contact Anode Cathode n- n+ Figure 3.14 肖特基二极管的电路符号和结构剖面图 双极逻辑的种类 Table 3.1 CMOS 集成电路技术 The Field Effect Transistor MOSFETs nMOSFET pMOSFET Biasing the nMOSFET Biasing the pMOSFET CMOS Technology BiCMOS Technology Enhancement and Depletion-Mode CMOS 集成电路技术 场效应晶体管（FET） 场效应晶体管最早是为了解决能源消耗而提出的，诞生于20世纪70年代。后来发现 FET 是既节省能源又利于提高集成度的电子器件。尽管FET 的早期实验应回到20世纪30年代，但第一批大量生产的场效应晶体管在60年代成为现实。从第一批改进的 FET一直被使用。现在最流行的集成电路技术是COMS（互补型金属氧化物半导体）技术，它是围绕着 FET 设计和制造的发展而发展的。 场效应晶体管的最大优势是它的低电压和低功耗。它的开启是输入电压加到栅上产生的电场的结果－－因此称为场效应晶体管。 FET 在线性/模拟电路中作为放大器以及在数字电路中作为开关元件使用。它的高输入阻抗和适中的放大特性使其成为一种卓越的器件被广泛应用。它的低功耗和可压缩性使其极适用于一直在缩小尺寸的 ULSI工艺。 FET 有两种基本类型：结型（JFET）和金属－氧化物型（MOSFET）半导体。区别在于MOSFET作为场效应晶体管输入端的栅极由一层薄介质（SiO2）与其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。 nMOSFET (n-channel) Gate Source Drain p-type silicon substrate n+ n+ Source Gate Drain Substrate pMOSFET (p-channel) Source Gate Drain p+ p+ n-type silicon substrate Source Gate Drain Substrate Figure 3.15 Two Types of MOSFETs VDD = + 3.0 V