纳芯微数字隔离芯片选型指引DigitalIsolatorSelectGuide.PDF

纳芯微数字隔离芯片选型指南 Digital Isolator Select Guide 最新信息请访问纳芯微隔离芯片官方网站：/isolation 公司简介 苏州纳芯微电子股份有限公司(Suzhou Novosense Microelectronics Co., Ltd.)致力于高性能集成电 路芯片的设计、开发、生产和销售，是国内第一家专业面向传感器系统，提供一站式传感器IC 解决方 案和持续技术支持的 IC 设计公司，并于2016 年8 月成功登陆新三板，成为新三板 MEMS 概念第一 股，股票代码：纳芯微 838551。公司在MEMS，微小信号采集，混合信号链处理以及传感器校准等领 域拥有独立知识产权和全面的 IP 积累，拥有丰富的产业化经验，已成为国内传感器信号调理芯片市 场领导者。公司于2017 年正式推出满足AEC-Q100 车规级标准的NSi81xx 系列EMC 增强型多通道数 字隔离芯片，将产品线扩展至通用IC 领域。 纳芯微数字隔离芯片 纳芯微深知隔离芯片对客户系统安全至关重要，产品设计制造各个环节均以最高标准执行，以提 供高可靠性数字隔离芯片为目标。和传统光电耦合器解决方案相比，NOVOSENSE 的CMOS 数字隔离 芯片产品可以实现成本更低、尺寸更小、性能更高、功耗更低和更加可靠的隔离电路以及更长的器件 使用寿命。NOVOSENSE 的隔离技术具有广泛的产品组合、设计创新以及对卓越的工程设计的坚定承 诺，随时满足您的隔离需求。 产品命名规则 NSi(81)(2)(1)(N)(1)(Q) Series Number Q = Automotive version Total Channel Amount: N=N Channels N=1,2,4… 2 Fail-Safe Output State: N=0: I C Part 0 = Logic Low Reverse Channel Amount: 1 = Logic High N=N Channels N=0,1,2… Package Type: N= NB SOIC8 W= WB SOIC16 纳芯微数字隔离芯片产品命名规则示意图 苏州纳芯微电子股份有限公司 苏州工业园区若水路388 号E1105 室 0512 NSi81xx 系列数字隔离芯片 NSi81xx 系列数字隔离芯片采用特制的高压隔离芯片工艺，可提供符合 UL1577 的多种电气隔离 耐压(3.75kVRMS，5kVRMS)，且具有高电磁抗扰度和低辐射的特性，数据率高达150Mbps，传播延迟 小于15ns，共模瞬态抗扰度(CMTI)高达150kV/us。 NSi81xx 系列具有目前业界最佳的芯片级 ESD 性能表现，HBM 模式防护等级可达±6kV，其出色 的系统级电磁兼容(EMC)性能，增强了系统的可靠性和稳定性，降低了系统的复杂度。NSi81xx 支持多 种规格可配置，产品交期短，可帮助客户缩短产品导入市场的周期。 和传统光耦解决方案相比， NSi81xx 系列数字隔离芯片集成度高，可以大大减少系统器件数量， 大幅减小系统BOM 面积，同时还具有延时更短、功耗更低的特点，避免了光耦的光衰问题，可长期可 靠工作。NSi81xx 系列多通道数字隔离器能用于任何需要电压隔离、电平转换或接地回路消除等功能的 应用，其典型应用场景包括工业自动化、新能源汽车、开关电源、电机控制等。 标准数字隔离器性能比较