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VDMOS工艺
VDMOS工艺流程 VDMOSFET 的结构 基本结构 n+ 衬底，漏极 D n- 外延层，漂移区 p 阱（又叫 p 基区 或体区） n+ 源区，源极 S 多晶硅栅，栅氧层， 栅极 G 整个器件的构成 前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的 剖面图 VDMOS与MOSFET的比较： 小信号 MOSFET（横向器件） 对应的 VDMOSFET（纵向器件） VDMOS工艺流程 1、原始硅片磨抛：原始硅片磨去40μm，抛光80μm 2、清洗 ，并且用显微镜检查表面 3、外延生长N-： ? =20~30Ω·cm, d=45μm 4、清洗 5、氧化： dox=6500±250? 800℃-1000℃- 800℃ 6、一次版 7、腐蚀，去胶，清洗 腐蚀：温度25℃ 8、P+扩散 预扩：R□=80～100Ω/□ 700℃-940℃-700℃ 主扩：R□=150～180Ω/□ 800 ℃ -1150 ℃ -800 ℃ 9、氧化 10、光刻：二次版反刻P+区，5000pm 11、腐蚀，(温度25℃) t=8.1s 12、去胶清洗 13、栅氧化 dox=1000-1100? 作C-V检查 实测dox=1060-1050? 此步骤须单独做，主要是为了生长出高质量的氧化层 14、生长多晶硅 7000?±200? 15、清洗 16、三次版：光刻P-区（多晶硅）三次版 留下栅和互连的多晶硅（使多晶硅成为p型） 17、腐蚀多晶硅（P-区），干腐：9'50'' 18、漂栅氧，（注意不要过漂，留下50～100 ?）（P-区内） 19、硼注入（带胶） 60Kev 1.7×1014/cm2 ＜15μA B 20、正面涂胶（5000pm） 21、背面腐蚀多晶硅（干法）和SiO2 干腐4'38'' 漂2' 22、去胶清洗 23、P-推进 dox=1000? 800-1150-800℃ 24、漂SiO2, 扩磷(N+), 同时形成沟道, R□=6～7Ω/□, Xjn =1.1μ, Xjp=5μ, R□poly-Si≤30Ω/□ 26、氧化 950℃ 5 '干氧+ 20'湿氧+ 5'干氧 dox=2100 ? 28、刻边缘多晶硅（即刻场限制环上的多晶硅） 5000pm 接触环上dox＞1000 ? 合格 29、腐蚀（先湿腐多晶硅上的SiO2 ）6'45'‘ 30、去胶清洗 3-3-1-2 炉口烘 800℃ 20'N2 31、光刻孔（源，栅）（刻引线孔）5000pm 32、蒸铝： 2.2μm 33、反刻Al 5000rpm（刻电极） 34、合金 35、涂聚酰氩胺,氩胺化 36、背面金属化：钒360?，镍8000?，金1000? 37、测试 谢 谢 ！ * 立体图 小信号 MOSFET CHANNEL N+ <100> 535μm N- N+ N- N+ 6000 ～7000? SiO2 1000? SiO2 SiO2 4000?以上 7000±200? 多晶硅 1000～1100 ? SiO2 50～100 ? 多晶硅7000 ? SiO2 1000? N+ G 25、漂磷硅玻璃（PSiO2）（去离子水 HF）
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