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可控硅损坏原因及关断和导通性能诊断仪研究 　　[摘 要]单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断，目前主要采用的是万用表测试法：可控硅是三端半导体器件，依据PN结“正向导通，反向截止”的单向导电的特性，可用万用表欧姆档来测试可控硅三个电极之间的阻值，就可以初步判断可控硅的好坏，本文章公开一种单项可控硅关断与导通性能诊断仪，其可以进行测试大小不一的可控硅，其测试步骤简单，测试效果准确，同时简单列举几项容易导致可控硅损坏的原因，对于正确判断可控硅导通故障并排除故障有着一定的指导意义。 　　[关键词]可控硅 、损坏 、诊断仪 结构 　　中图分类号：R443+.8 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2014）27-0110-01 　　1 内容 　　1.1 可控硅简介 　　单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。 　　可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。 　　1.2 容易导致可控硅损坏的原因 　　（1）设备在运行时负载开路：当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压，会烧坏可控硅元件。 　　（2）设备在运行时负载短路：当设备正在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。 　　（3）电抗器故障：电抗器内部打火造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，如果在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流工作时，因饱和失去限流作用烧坏可控硅。 　　（4）保护系统故障（保护失灵）：可控硅能否安全，主要是靠保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危及到可控硅安全。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。 　　（5）脉冲触发回路故障：在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置 　　1.3 解决可控硅的误触发 　　可控硅触发电压过低，触发电流过小，可控硅触发困难，这不是我们所希望的，但是触发电压过高，触发电流过大，又容易引起可控硅的误触发即抗干扰能力吃，这又是我们要避免的，解决方法如下，（1）尽量避免电感元件靠近可控硅控制回路，（2）屏蔽可控硅控制极电路，（3）在可控硅阴极与控制极之间并联一只电容，（4）在控制极加上反向偏置电压。 　　1.4 判断可控硅好坏的方法 　　目前主要采用的是万用表测试法：可控硅是三端半导体器件，依据PN结“正向导通，反向截止”的单向导电的特性，可用万用表欧姆档来测试可控硅三个电极之间的阻值，就可以初步判断管子的好坏。 　　1.5 新型诊断仪的结构 　　单项可控硅关端与导通性能诊断仪的结构主要包括触发电路、检测电路和断路器，触发电路上设有第一转换开关、变压器、桥堆，断路器火线通过第一转换开关与变压器一次侧火线端子连接，断路器零线与变压器一次侧零线端子连接，变压器二次侧与桥堆交流侧分别连接，桥堆直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆直流侧负极与可控硅阴极连接，检测电路包括第二转换开关、直流电源、电位器、灯泡，断路器火线通过第二转换开关与直流电源火线连接，直流电源输出的直流电正极通过电位器与可控硅阳极连接，断路器零线与直流电源零线连接，直流电源输出的直流电负极通过灯泡与可控硅阴极连接。可控硅放置位置，设有可控硅放置盒，可控硅放置盒，由铜板和绝缘板组成，第一铜板设于第一绝缘板内侧且固定为一体，第二铜板设于第二绝缘体内侧且固定为一体，第一绝缘板与第二绝缘板之间通过螺栓活动连接，第一铜板与可控硅阳极连接，第二铜板与可控硅阴极连接，绝缘板外侧分别设有连接线，连接线穿过绝缘板与铜板连接。 　　1.6 可控硅诊断仪诊断方法 　　操作第二转换开关，使之通电，如果灯泡亮，则可控硅