微电子器件物理基础.PDF

第 章 １ 微电子器件物理基础 集成电路的基础器件都是用半导体材料制作而成的，半导体材料的特性决定着微电子 器件及集成电路的性能。因此，这里首先学习半导体材料的结构特性和电学特性非常必 要。半导体单晶材料是由大量原子周期性排列而成的，这些原子以共价键结合成共价晶 体，半导体元素晶体结构通常取金刚石结构形式，而半导体化合物晶体结构通常取闪锌矿 或纤维锌矿结构形式。从能带结构上看，半导体和绝缘体的区别仅在于半导体的价带和导 带之间的禁带宽度较小，以至于当温度高于热力学温度零度时价带电子受热激发到导带， 形成导带电子和价带空穴两种导电机制，这与金属导体只有电子导电相比有很大的优越 性。半导体材料还有掺杂特性、热敏特性和光敏特性等几个重要性质，这些性质是半导体 材料制作电子器件和光电子器件的物理基础。本章简要地讨论半导体材料的晶体结构、能 带结构、掺杂特性和载流子输运方法等内容，为后面章节学习各类半导体电子器件和光电 子器件奠定基础。 １．１ 半导体的晶体结构与能带 　 １．１．１ 半导体的晶体结构 　 晶体是由大量原子周期性重复排列而成的，而每个原子又包含原子核和核外电子。不 同原子对核外电子特别是价电子的束缚能力不同，这种束缚能力的差别用原子的负电性来 表示，若用 来表示负电性，则有 χ （ ） （ ） χ ０．１８犠 犠 １１ ＝ ｉ＋ ａ 其中， 和 分别是该元素原子的电离能和亲和能，系数选择 是为了使 犠 犠 ０．１８ 犠 ｉ ａ ｉ 和 用 作单位时， 的负电性为 。 犠ａ ｅＶ Ｌｉ １ 表 １１ 一些元素的原子负电性 　 表 １１给出了周期表中一些原子的负电性。 Ｈ ＩＶ族原子的负电性处于每一周期中间位 ２．１ 置，表明它们对价电子束缚力的强弱处于 Ｌｉ Ｂｅ Ｂ Ｃ Ｎ Ｏ Ｆ 中等水平，因而这一族的硅（ ）、锗（ ） Ｓｉ Ｇｅ １．０ １．５ ２．０ ２．５ ３．０ ３．５ ４．０ 晶体是重要的半导体材料。 族和 族、 ＩＩＩ Ｖ Ｎａ Ｍｇ Ａｌ Ｓｉ Ｐ Ｓ Ｃｌ 族和 族原子负电性相差不大，它们可 ＩＩ ＶＩ ０．９ １．２ １．５ １．８ ２．１ ２．５ ３．０ 以结合成既有共价性又有离子性的半导体 Ｋ Ｃａ Ｓｃ Ｇｅ Ａｓ Ｓｅ Ｂｒ 晶体， 、 、 、 、 、 ０．８ １．０ １．３ １．８ ２．０ ２．４ ２．８ ＧａＡｓ ＡｌＡｓ ＩｎＰ ＧａＮ Ｚ