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一种高线性度CMOS混频器的设计 器件制造与应fl》ManufmuangmdAppficationofDevice 一 种高线性度CMOS混频器的设计 吴明明,叶水驰 (哈尔滨工业大学卫星技术研究所,哈尔滨150080) 摘要:采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC0.18/.tmRFCMOS模型 进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8v时,输入三阶截断点(IIP3)为l0.3dBm,输 入1dBff~-缩点(P_ldB)为一3.5dBm,增益为9.2dB,单边带噪声系数为17dB. 关键词:双平衡混频器;互补金属氧化物半导体工艺;射频集成电路 中图分类号:TN773文献标识码:A文章编号:1003.353X(2007)02.0117.04 DesignofaHigh-LinearityCMOSMixer WUMing-ming.YEShui—chi (ResearchCenterofSatelliteTechnology,HarbinImt~uteofTechnology,Harbin150080,China) Abstract:Theperformanceoflinearitywasimprovedusingtheproposedarchitecture.Thesimulation WascarriedoutbasedonTSMC0.18mRFCMOS