白光LEDs和半导体物理学9.ppt

本征半导体的导电机构 半导体中除了导带上电子导电作用外，价带中空穴也参与导电，对于本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应的出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构 第二章 半导体中载流子的统计分布 目的：计算热平衡载流子浓度及其随温度的变化规律 方法：了解允许的量子态能量分布情况；了解电子在允许的量子态中如何分布。 第一：允许的量子态能量如何分布？ K空间中量子态的分布，k的允许值为： 半导体导带底附近的状态密度，为了简单起见，考虑能带极值在k=0，等能面为球面的情况。导带附近E(k)与k的关系为： 在k空间中，以为半径作一球面，为能量为E(k)的等能面；再作以K+dK为半径的球面，它是能量为E+dE的等能面。要计算能量在E到E+dE之间的量子态数，只要计算这两个球壳之间的量子态数即可。两个球壳之间的体积是,而k空间中，量子态密度是2V, 所以，在能量E到E+dE间的量子态数为： 所以， 导带底能量E附近单位能量间隔的量子态数，即导带底附近状态密度gc(E)为 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目，随着电子的能量增加按抛物线关系增加， 即电子能量越高，状态密度越大 第二：电子在允许的量子态中如何分布？ 在一定的温度下，半导体中的大量电子不停地作无规则的热运动，电子既可以从晶格热振动获得能量，从低能量的量子态跃迁到高能量的量子态，也可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，将多余的能量释放出来成为晶格热振动的能量。从大量电子的整体来看，在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律性，即这时电子在不同能量的量子态上统计分布概率是一定的。根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律。对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率f(E)为： 其中f(E)称为电子的费米分布函数，描写热平衡状态下，电子在允许的量子态上 如何分布的一个统计分布函数 其中代表系统的化学势，F是系统的自由能。上式的意义是：当系统处于热平衡状态，也不对外界作功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。而处于热平衡状态的系统有统一的化学势，所以处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 。 费米分布函数f(E)的一些特性： 图4给出了温度为0，300，1000，1500K时费米分布函数f(E)与E的曲线。从图中看出，随着温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子态的概率增大 电子与空穴的波尔兹曼分布函数： 费米能级EF位于禁带内，而且与导带底或价带顶的距离远大于koT, 导带中的所有量子态来说，被电子占据的概率，一般都满足f(E)1,故半导体导带中的电子分布可以用电子的波尔兹曼分布函数描写。由于随着能量E的增大，f(E)迅速减小，所以导带中绝大多数电子分布在导带底附近。 同理，对半导体价带中的所有量子态来说，被空穴占据的概率，一般都满足1-f(E)1。故价带中的空穴分布服从空穴的波尔兹曼分布函数。由于随着能量E的增大，1-f(E)迅速增大，所以价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近。通常把服从波尔兹曼统计律的电子系统称为非简并性系统，而服从费米统计律的电子系统称为简并性系统。 导带中的电子浓度与价带中空穴浓度 图5中画出了能带、函数f(E)、1-f(E)、gc(E)、gv(E)以及f(E)gc(E)和[1-f(E)]gv(E)等曲线。图4(e)中用阴影线标出了的面积就是导带中能量E到E+dE间的电子数，所以f(E)gc(E)曲线与能量轴之间的面积除以半导体体积后就等于导带的电子浓度。 在非简并情况下，导带中电子浓度可计算如下： 在能量E到E+dE间的电子数dN为 单位体积中电子数为： 称为导带的有效状态浓度，显然， 是温度的函数 称为价带的有效状态密度。显然， 是温度的函数 是空穴占据能量为 的量子态的概率。 所以可以看出导带中电子浓度和价带中空穴浓度都随着温度和费米能级的不同而变化，其中温度的影响，一方面来源于Nv和Nc；另一方面，也是更主要的来源，是由于波尔兹曼分布函数中的指数随温度迅速变化。另外费米能级也与温度及半导体中所含杂质情况密切相关。 因此，在一定温度下，由于半导体中所含杂质的类型和数量的不同，电子浓度no和空穴浓度Po也将随之变化。 载流子浓度乘积n0po 电子与空穴的浓度乘积和费米能级无关。对一定的半导体材料，乘积 只决定于温度T，与所含杂质无关。当半导体处于热平衡状态时，载流子浓度的乘积保持恒定，如果电子浓度增加，那么空穴的浓度就要减少，反之亦然。 本征半导体的载流子浓度 本征载流子浓度ni为 试验测定高温下的霍尔系数和电导率，从而得到很宽温度