第章 单片机存器扩展.pptVIP

MCS-51控制总线，有以下几条： ① ALE：输出，用于锁存P0口输出的低8位地址信号， 与地址锁存器控制端G连接。 扩展芯片的寻址方式 存储器片内存储单元的地址：由与单片机地址线直接连接的地址线确定； 存储器芯片地址：由高位地址线产生的片选信号确定。 高位地址线直接连到存储器芯片的片选端。图中芯片是2K* 8位。 缺点： ①芯片地址空间不连续； ②存在地址重叠现象。 8.1.3存储器空间地址 （2）、74LS138译码器 8XX51单片机扩展程序存储器2732的电路图。 CPU从外部程序存储器取指令的时序 【例8-4】 试绘图说明CPU从外部ROM 2080H单元中读取MOV R0，#30H的指令时序。 解：图8-11是该指令时序图。 该指令编译后的机器码是78 30，依次占用外部ROM 2080H和 2081H单元。执行该指令时CPU首先从P2口送出2080中的高8 位地址20H，并将80H通过P0口送到74LS373锁存器输出端， ALE是高电平时74LS373处于直通状态，输出等于输入，在 ALE的下降沿PO口送出的数据被锁存在输出端，这时PO口数 据再变化，74LS373的输出端仍然保持80H这一状态。这样P2 口和P0口共同形成了16位地址2080H。 CPU从外部程序存储器取指令的时序 随后单片机将78H这一指令代码通过P0口与外部ROM的D7～D0的连接线路读入CPU。接着CPU将2081H这一地址再通过P2口和P0口送出，当作为地址信号的P0口数据被锁存后，CPU会将指令的第二个字节代码30H通过P0口线读入到CPU中。 ② 高位地址：视EPROM芯片容量大小。2764需5位，P2.0～P2.4与2764 A8～A12相连；27128需6位，P2.0～P2.5与27128 A8～A13相连。 三、 EEPROM的扩展 ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接。 ② 片选线一般由80C51高位地址线控制。 ③ 将E2PROM用作外ROM时，80C51 PSEN与E2PROM OE端相连。由80C51的PSEN控制E2PROM的读出(输出允许OE)。 ④ 将E2PROM当作外RAM时，因需要对E2PROM进行在线擦写，因此80C51的WR与E2PROM WE端相连，RD与OE相连，此时应使用MOVX指令，且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭，否则出错。 E2PROM用作外ROM时， 执行MOVC指令，读选通由PSEN控制； E2PROM用作外RAM时， 执行MOVX指令，读选通由RD控制，写选通由 WR控制。 读E2PROM时， 速度与EPROM相当，完全能满足CPU要求。 写E2PROM时， 速度很慢，因此，不能将E2PROM当作一般RAM使用。每写入一个（页）字节，要延时10mS以上，使用时应予以注意。 8.2.2 数据存储器的扩展 典型80C51单片机内部有128B的RAM ，用于小系统一般能满足要求。如果不够用，可在片外适当扩展数据存储器。其扩展的最大容量是64KB。 在单片机应用系统中，如果外部扩展动态数据存储器，还需要有对应的硬件刷新电路。所以，在单片机外部扩展的数据存储器都不采用动态数据存储器，而采用静态数据存储器(SRAM)。 8.2.2 数据存储器的扩展 （1）.常用于外部RAM扩展的芯片及引脚 静态数据存储器常用的是62系列产品，如：6216(2KB)、6264(8KB)、128(16KB)、62256(32KB)、62512(64KB)。同样型号62后面的数字是该芯片的位存储容量。该数值除以8所得即是该RAM能存放数据的K字节数，因此6264芯片的容量为8KB(B表示字节单位)。 典型80C51单片机内部有128B的RAM，用于小系统一般能满足要求。如果不够用，可在片外适当扩展数据存储器。其扩展的最大容量是64KB。 在单片机应用系统中，如果外部扩展动态数据存储器，还需要有对应的硬件刷新电路。所以，在单片机外部扩展的数据存储器都不采用动态数据存储器，用静态数据存储器(SRAM)。 8.2 外部存储器的扩展方法 8.2.2 数据存储器的扩展 1、外部数据存储器的扩展方法 （1）.常用于外部RAM扩展的芯片及引脚 如图8-13所示，常用62系列静态存储器芯片各引脚功能如下： D7～D0：双向三态数据线。与单片机的P0口直接连接。 A15～A0：地址输入线。芯片容量不同，地址线数量不同。 ：片选信号输入线。对6264芯片，当26脚（CS）为高电平且为低电平时才选中该片。 ：读选通信号输入线，低