第三章气隙的电强度.pptVIP

3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 改善电场分布的具体方法 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用高真空 采用高气压 采用强电负性气体 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用高真空 接近真空阶段：碰撞电离的几率太小，Ub提高 高真空阶段： 小距离时：强场发射、金属气化大距离时：全电压效应 真空中的Ub与电极材料、表面光洁度、清洁度有关 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用高气压 基本原理：气压提高??减小?动能减小?U提高 1－2.8MPa 5－0.1MPa 当气压在10个大气压下时，击穿电压随气压增大线性增加。再提高P，会饱和 压缩空气可用于内绝缘，如断路器、高压标准电容等。 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用强电负性气体 含卤族元素的气体化合物，如六氟化硫（SF6）、氟利昂（CCl2F2）等，其电气强度比空气的要高很多。称为高电气强度气体。 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用强电负性气体 原因： 1） 具有很强的电负性，负离子即削弱电离， 又加强复合； 2） 分子量大，分子直径大，电子的?减小。 3） 电离过程伴随离解过程，需要更多能量。 选用卤化物的原则： 1 液化温度要低， 2 应具有良好的化学稳定性， 3 经济上应当合理，价格便宜，能大量供应 目前得到工程广泛应用的是SF6及SF6混合气体 3.6 提高气隙击穿电压的方法 抑制电离的具体方法 采用强电负性气体 SF6的绝缘性能 1） 强电负性，电气强度高 2） 对电场均匀度敏感 SF6的性能只有在均匀电场中才能充分发挥，在极不均匀场中，击穿电压下降很快。 在极不均匀电场中，气压与击穿电压紧密相关 3.6 提高气隙击穿电压的方法 针－球气隙中的SF6气体（针极曲率半径1mm，球半径50mm，极间距30mm）在不同类型电压下的击穿电压与压力的关系 空间电荷的作用，使得工频高于雷电 随着气压的提高，空间电荷作用减小，因此Ub下降 3.6 提高气隙击穿电压的方法 SF6的绝缘性能 影响绝缘性能的因素： 电场均匀度； 气压； 电极表面缺陷； 导电微粒； 3.6 提高气隙击穿电压的方法 SF6的液化特性 1） 一般不会液化 3.6 提高气隙击穿电压的方法 2) 纯净的SF6无毒，但分解物有毒，有腐蚀性 电子碰撞、热辐射、光辐射会导致SF6分解 如电弧、局放、火花放电等 3） 水分的危害 水分会与气体分解物形成氢氟酸，腐蚀材料，引起 凝露，降低表面闪络电压。 解决办法：用吸附剂吸附分解物和水分。 3.6 提高气隙击穿电压的方法 SF6－N2混合气体中的与E/p 1－纯N2；2－SF6含量为10%；3－SF6含量为25%；4－SF6含量为50%；5－纯SF6 混合气体：N2、 CO2、空气与SF6 混合 降低液化温度 降低对电场的敏 感度 3.6 提高气隙击穿电压的方法 3.7 影响气隙沿面闪络电压的因素 电场均匀性 电压波形情况 大气条件 介质表面状态 表面光滑或者粗糙程度 淋雨状态 污秽情况 3.7 影响气隙沿面闪络电压的因素 湿闪电压 闪络途径： 1 AB－BCA’：闪络电压下降到40%-50% 2 AB－BA’：下降不多 3 AB－水流：湿闪电压降到很低值。 光滑瓷柱的干闪和湿闪电压 3.7 影响气隙沿面闪络电压的因素 污闪电压 发展过程： 积污?受潮?电导增加，电流增大?烘干，形成干区?干区电阻大，压降大，电场强，开始放电?辉光（电晕）转为电弧?局部电弧烘干周围，干区扩大，电弧伸长?爬电到一定程度，自动延伸，贯穿两极 防止污闪措施： 1 改善环境，减小污染的可能性 2 改进绝缘子结构设计，降低污秽积累的可能 3.8 提高气隙沿面闪络电压的方法 采用屏障 增加沿面爬电距离,且起阻碍放电发展. 3.8 提高气隙沿面闪络电压的方法 采用屏蔽 3.8 提高气隙沿面闪络电压的方法 强制固定绝缘表面电位 高电压技术 高电压技术 3.1 气隙的击穿时间 3.2 气隙的