InAsGaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究.PDFVIP

第40 卷 第9 期 红 外 技 术 Vol.40 No.9 2018 年9 月 Infrared Technology Sep. 2018 InAs/GaSb 二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究 张 舟，汪良衡，杨 煜，李云涛，丁颜颜，雷华伟，刘 斌，周文洪 （武汉高芯科技有限公司，湖北武汉430014 ） 摘要：采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb 二类超晶格材料因其独特的能带断带结构，极大地 降低了俄歇复合暗电流，且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低，因此超晶格材料成为国 内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn 背靠背结构，阵列规模 为320 ×256 ，像元中心距为30 m 。其中测得80 K 温度下，－0.1 V 偏压工作时中波50%截止波长为 4.5 m ，0.17 V 偏压工作时长波50%截止波