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第 9 章　半导体存储器 9.1　概　述 9.2　只读存储器（ROM） 9.2.1 ROM 的电路结构 9.2.2 固定ROM 的工作原理 9.2.5 PROM 的应用 9.3 随机存取存储器 9.3.1 RAM 的电路结构 9.3.2 RAM 中的存储单元 本 章 小 结 9.3.3 RAM 的扩展 (一) RAM的位扩展 　　如一片 RAM 的字数已够用，而每个字的位数不够用，则采用位扩展的方法来扩展每个字的位数。其方法是将各片 RAM 的地址输入端、读/写控制端 R/W 和片选端 CS 对应地并接在一起。 RAM 的 位 扩 展 接 法 第 9 章 半导体存储器 返回首页 链接演示文稿主页面 第 9 章 半导体存储器 概　述 本章小结 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 主要要求： 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 　　 主要由与阵列、或阵列、输出缓冲级等部分组成，为大规模组合逻辑电路。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM，即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM，即Random Access Memory) 主要由地址译码器、存储矩阵、读 / 写控制电路等部分组成，为大规模时序逻辑电路。 一、半导体存储器的作用 存放二进制信息 ROM 是只读存储器，在正常工作时，其内存数据只能读出，而不能写入。但断电后其内部数据不会丢失。常用于存放一些不变的数据，如一些重要的常数、系统管理程序等。 RAM是随机存取存储器，既能读出信息又能写入信息。但断电后其数据将丢失。它用于存放一些临时数据和中间处理数据结果，如计算机内存。 主要要求： 理解 ROM 的电路结构、工作原理。 理解用 ROM 实现组合逻辑函数的方法。 按数据写入方式不同分 固定 ROM 可编程 ROM (Programmable　 　　　 ROM，简称 PROM) 可擦除可编程ROM (Erasable PROM， 　　　　　　　　　　简称EPROM) 　　其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。 　　其存储数据由用户写入。但只能写一次。 　　用户可以多次改写存储的数据。 ROM 的类型及其特点 由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成 ROM 的电路结构图 存储器的存储容量为 2n ? m 字位。 1. 电路组成 一、 二极管 ROM D0 D1 D2 D3 4×4 二极管 ROM 结构图 A1 A0 字线信号 位线输出信号 1 1 W3 W2 W1 W0 地址译码器。 A1 、 A0 为地址输入端，W3 ~ W0 为译码器输出的 4 条字线。 存储矩阵由二极管或门组成，D3 ~ D0 为存储矩阵输出的 4 条位线。 1. 电路组成 　一、 二极管 ROM D0 D1 D2 D3 4×4 二极管 ROM 结构图 A1 A0 字线信号 位线输出信号 1 1 W3 W2 W1 W0 9.2.2 固定ROM 的工作原理 W3 ~ W0 中任一个输出高电平时，则在 D3 ~ D0 　4 条线上输出一组 4 位二进制代码，每组代码表示一个字。 2. 读数 　一、 二极管 ROM D0 D1 D2 D3 4×4 二极管 ROM 结构图 A1 A0 字线信号 位线输出信号 1 1 W3 W2 W1 W0 9.2.2 固定ROM 的工作原理 当输入一组地址码时，则在ROM 的输出端可读出该地址码对应的存储内容。如A1 A0 = 00 时，则字线 W0 = A1 A0 =1，其他字线都为 0，这时和W0 相连的两个二极管导通，位线 D2 = 1、 D0= 1,而 D3 和D1 都为 0 ,在输出端得到D3D2D1D0=0101数据输出。 可见：(1) 交叉处接有二极管的相当于存储1，没有接二极管的相当于存储 0。(2) 当某字线被选中时，相应存储单元数据从位线D3 ~D0 输出。 4 × 4 存储矩阵示意图 W3 W2 W1 W0 D0 D1 D2 D3 字线 位线 　　交叉处的圆点 “ ”表示存储 1，交叉处无圆点表示存储 0。 　　交叉点的数目表示存储器存储容量。 存储容量 ? 字数 × 位数 存储矩阵可简化表示为 字线数 位线数 3. 输出逻辑表达式 D0 D1 D2 D3 4×4 二极管 ROM 结构图 A1 A0 字线信号 位线输出信号