应力调制的自旋转矩临界电流-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 13 (2014) 138501 应力调制的自旋转矩临界电流 郭子政 邓海东 黄佳声 熊万杰 徐初东 (华南农业大学理学院应用物理系, 广州 510642) ( 2014 年2 月4 日收到; 2014 年3 月5 日收到修改稿) 自旋转矩临界电流过大的问题长期以来一直为人们所关注. 本文提出, 可以通过引入面外应力即引入应 力各向异性场来降低退磁场, 从而降低自旋转矩的临界电流. 本文采用四分量分布式自旋电路模型计算了横 向自旋阀由注入端输运到探测端( 自由层) 的极化电流大小. 利用Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski 方程 数值研究了存在应力时, 横向自旋阀中自旋转矩引起的自由层磁矩翻转的性质. 结果表明, 适当选择应力方 向可使面外退磁场得到有效补偿, 从而显著降低自旋转矩临界电流. 另外, 随着应力提高和退磁场的减小, 磁 矩翻转时间也大大减小. 关键词: 横向自旋阀, 自旋转矩, 临界电流, 应力 PACS: 85.75.–d, 75.40.Gb DOI: 10.7498/aps.63.138501 也能处理没有能量损耗的情形, 对于一般有能量损 1 引 言 耗的情况, 一般采用数值方法研究. 近年自旋电子学领域另一项重大发现, 是极化 1 自旋阀结构 在近年自旋电子学的发展中起 电流导致的自旋转移矩(STT) 效应5 . 利用STT 到了举足轻重的作用, 典型的例子是基于自旋阀的 6 可实现电流诱导的磁化翻转 . 除了翻转和进动, 巨磁阻(GMR)硬盘读出头的普遍采用以及基于磁 自旋极化电流还能使磁化强度发生持续的振荡甚 隧道结(MTJ) 的磁随机存储器(MRMR) 的问世. 至混沌行为7 . 这种能够利用自旋矩产生磁化强度 上述例子中采用的自旋阀是所谓垂直自旋阀, 这种 振荡的装置叫做自旋矩纳米振子. 在许多被充分研 自旋阀很难将电荷流和纯自旋流分开. 为克服这一 究的由外力驱动的非线性振子中, 只有一小部分能 缺点, 横向自旋阀应运而生. 横向自旋阀也称非局 有技术上的应用. 自旋矩纳米振子具有吉赫兹范围 域自旋阀. 关于横向自旋阀的研究有很多报道2 . 在自 可调的频率, 非常适于在磁存储器件和无线电通讯 8 中得到应用 . 旋阀的动力学研究方面, 微磁学, 特别是朗道-利 夫席茨-吉尔伯特(Landau–Lifshitz–Gilbert, LLG) 在宏观的磁动力学描述中, 将自旋极化电流对 34 局域磁化强度的影响约化为自旋矩, 可得到一种推 方程发挥了很大作用 . LLG 方程是磁矩矢量的 运动方程, 它是微磁学计算的基础. 原始的LLG 方 广的LLG 方程. 求解此方程, 可研究在自旋极