（毕业学术论文设计）-钛酸铋钠铁电薄膜掺杂研究.docVIP

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2018-10-12 发布于广西
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（毕业学术论文设计）-钛酸铋钠铁电薄膜掺杂研究.doc

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PAGE 毕业论文题目 Na0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜的掺杂改性研究学院材料科学与工程二〇一一年六月十日摘要我们采用化学溶液分解法制备了(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3前驱体溶液，并在LaNiO3/Si和(Ba,Sr)(Ti,Mn)O3/Si两种衬底上分别制备了(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3薄膜。X－射线衍射图谱显示：(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3薄膜具有良好的结晶性，值得注意的是在(100)取向LaNiO3衬底上制备的(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3薄膜表现出了(100)择优取向。(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3薄膜的厚度大约为220～230nm。为了进行电学性能测试，我们分别制备了金属-铁电薄膜-绝缘体-硅和金属-铁电薄膜-金属结构。Au/ (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3/(Ba,Sr)(Ti,Mn)O3/Si/Au的电容－电压曲线是逆时针的，为极化型存储方式；在±15V的偏电压下，电容－电压曲线的记忆窗口最大，约为3.97V。Au/(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3/LaNiO3结构的电容-电压曲线为典型的“蝴蝶”形。(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜在LaNiO3和(Ba,Sr)(Ti,Mn)O3衬底上的积累态介电常数分别为300和220。关键词：化学溶液分解法；Na0.5Bi0.5TiO3掺杂；铁电薄膜；电学性能 ABSTRACT We prepared the (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 precursor solution by a chemical solution decomposition method and deposited (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 films on LaNiO3/Si and (Ba,Sr)(Ti,Mn)O3/Si by spin-coating. The XRD patterns of (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 on two substrates showed that (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 films are crystalline. Note that (Na0.7K0.2Li0.1) 0.5Bi0.5TiO3 on (100)-LaNiO3 has preferred (100) orientation. The thicknesses of (Na0.7K0.2Li0.1) 0.5Bi0.5TiO3 films are about 220～230nm. For electrical measurements, we prepared metal-ferroelectric films-insulator-silicon and metal-ferroelectric-metal capacitors. The C-V curves of Au/(Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3/(Ba,Sr)(Ti,Mn)O3/Si/Au exhibit anticlockwise direction, indicting the memory type is polarization. The maximum memory window is 3.97V when the sweeping voltage is ±15V. The C-V curves of (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 on LaNiO3 have typical butterfly pattern. The dielectric constants of (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3 on LaNiO3 and (Ba,Sr)(Ti,Mn)O3 at the accumulate states are 300 and 220, respectively. Key words: Chemical solution decomposition; (Na0.7K0.2Li0.1)0.5Bi0.5TiO3; ferroelectric thin films; electrical property 目