《传感器原理及实际应用》.pptVIP

以超声波作为检测手段，必须产生超声波和接收超声波。完成这种功能的装置就是超声波传感器，习惯上称为超声换能器，或者超声波探头。超声波探头主要由压电晶片组成，既可以发射超声波，也可以接收超声波。压电晶体组成的超声波传感器是一种可逆传感器，它可以将电能转变成机械振荡而产生超声波，同时它接收到 图8-4 超声波传感器外形图 超声波时，也能转变成电能，所以它可以分成发送器或接收器。有的超声波传感器既作发送，也能作接收。 阶段小结 本课题主要介绍了霍尔效应、霍尔传感器（包括霍尔元件、集成霍尔传感器）及霍尔元件的主要特性参数，和一个使用霍尔传感器的自动供水控制电路。 通过磁电效应，磁感应强度的变化可转变为电信号。磁敏传感器就是把磁学物理量转换成电信号的传感器。 由于磁场对运动电荷具有洛伦兹力作用，通以电流的半导体受到磁场作用会产生电势UH，此即霍尔效应现象。霍尔电势UH=KHIBcosθ，其中KH 为霍尔常数，其大小与霍尔片的材料和尺寸有关，θ 为磁场方向与霍尔片法向夹角。以此为基础制造有霍尔元件和霍尔集成电路两种类型的霍尔传感器。 霍尔集成电路是把霍尔元件、放大器、温度补偿电路及稳压电源等做在一个芯片上的集成电路，与霍尔元件相比，霍尔集成电路使用方便，更具有微型化、可靠性高、寿命长、功耗低及负载能力强等优点。 霍尔集成电路按输出信号的形式不同，集成霍尔传感器可分为开关型和线性型两种。开关型霍尔传感器根据检测的磁感应强度大小输出高低两个电压电平，线性型霍尔传感器输出一个与检测的磁感应强度信号成正比的电压信号。 课题二 其他磁敏器件 任务：自动统计钢球生产个数装置电路的设计 任务目标 ★ 熟悉磁敏电阻的原理，了解磁敏电阻的基本结构和特性参数； ★ 熟悉磁敏二极管、磁敏三极管的结构、原理及特性； ★ 利用磁敏器件设计一个自动统计小钢球生产个数的电路。 磁敏电阻是利用磁电阻效应制成的磁敏元件，也称为MR传感器。 所谓磁电阻效应是指某些材料的电阻值随磁场而变化的现象。磁电阻效应的大小与元件的迁移率和几何形状有关；前者称为物理磁电阻效应，后者称为几何磁电阻效应。按照所用感磁材料不同，磁敏电阻有半导体材料构成的半导体磁敏电阻和金属材料构成的强磁性薄膜磁敏电阻。 一、磁敏电阻 无磁场时，元件的电流矢量一般呈直线状，当磁场垂直加在元件表面上时，由于霍尔电场和洛伦兹力的作用，电流矢量偏离合成电场方向θ 角（霍尔角，如图7-20（c）所示），电流经过的路径就变长了，于是电阻值也相应地增加。其中的电流矢量随磁场而异，阻值也就随着磁场而变化，称为物理磁阻效应。为了使磁敏电阻的磁阻效应更为显著（即灵敏度高），必须选用载流子迁移率大的材料。 1．半导体磁敏电阻 磁阻效应示意图 2．强磁性薄膜磁敏电阻 强磁性薄膜磁敏电阻是基于强磁性磁敏效应的，这种效应的基本特征是在电流方向平行磁化方向（外部磁场方向）时材料的电阻率与在电流方向垂直磁化方向时的电阻率不同，即因强磁材料的磁化方向与电流方向夹角不同，其阻值有所不同。此现象称为磁各向异性效应（简称AMR）。如图7-22所示，若沿着一条长而薄的铁磁合金（铁镍合金）带的长度方向加一个电流，在沿薄片垂直电流的方向施加一个磁场，合金带自身的阻值会发生变化。磁化方向平行于电流方向时强磁性薄膜磁敏电阻阻值最大，磁化方向垂直于电流方向时强磁性薄膜磁敏电阻阻值最小。 强磁性磁敏效应示意图 （1）灵敏度K RB/R0的比值称为磁敏电阻的灵敏度。R0为无磁场时元件的阻值，RB是磁场强度为B时的电阻值。有的厂家也用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示。 （2）磁阻特性曲线（B-R特性） 某型号磁敏电阻的电阻值R随磁感应强度B变化的曲线如图7-24所示。磁敏元件的电阻值与磁场的极性无关，只随磁场强度的增加而增加。 （3）温度系数 温度每变化1℃时，磁敏电阻的相对变化（%/℃）称为温度系数。为了补偿磁敏电阻的温度特性，可以采用两个磁敏电阻串联，用分压输出，可大大改善元件的温度特性。 3．磁敏电阻的主要特性 图7-24 磁阻特性曲线 二、磁敏二极管与磁敏三极管 磁敏二极管和磁敏三极管具有响应快、无触点、输出功率大及性能稳定等特点，有很高的灵敏度，可以在较弱的磁场条件下获得较大的输出电压，这是霍尔元件和磁敏电阻所不及的。它不但能检测出磁场大小，并且能测出磁场方向，体积小、测试电路简单，所以特别适合制作无触点开关、小量程高斯计、漏磁测量仪、磁力探伤仪等仪器和仪表。 1．磁敏二极管 （1）磁敏二极管的结构和工作原理 磁敏二极管是一种电阻值随磁场强度的大小和方向均改变的结型二端磁敏元件。 图7-26 磁敏二极管的结构与符号 高复合区 本征区 低复合面 磁敏二极管是采用电子空穴双重注入效