GaN基蓝光LED氧化铝钝化膜制备和性能的研究.pdfVIP

摘要 摘要 自从GaN基发光二极管诞生以来，LED技术研发及应用得到飞速发展。大 功率GaN基LED在全固态白光照明方面具有广阔的应用前景，被认为是最有希 望取代白炽灯与日光灯的第三代固态照明光源。但随着驱动电流的增加和芯片 尺寸的增大，会引发器件漏电电流增加，光效降低，可靠性减低等问题，必须 从芯片结构设计等多方面进行研究才能加以解决。钝化工艺是制作高亮度、大 功率、高可靠性LED器件的一个重要环节，直接影响器件的可靠性能。目前LED 器件常用的钝化材料是硅的氧化物或氮化物，然而随着技术研究的发展，垂直 结构芯片、薄膜型芯片、倒装芯片等新结构芯片逐渐成为下一代LED芯片的发 展方向，这类芯片对钝化材料提出了新的要求。根据这些新结构LED器件的结 构设计要求以及与制作器件的其他工艺的相容性，传统的钝化材料已不能满足 要求。所以，选择合适的钝化材料是制备这类器件的一个关键问题。作为一种 新型功能薄膜材料的氧化铝薄膜，由于具有透光率高、折射率大、绝缘性好、 抗辐射能力强、耐蚀性强、硬度高等特点，有希望成为LED器件的新的钝化层 材料。所以对于它的制备工艺及相关性质的研究越来越受到人们重视。鉴于磁 控溅射作为一种高速、低温