碳化硅半导体技术及产业发展现状-刘兴昉.pdfVIP

关 注 FOCUS 碳化硅半导体技术及产业发展现状 ■ 文/刘兴 陈 宇 昉 中国科学院半导体研究所 碳化硅半导体（这里指4H-SiC） 器件后，能耗可低至1.4kW，约为硅 原来的80 ～100km提升到现在的超 是新一代宽禁带半导体，它具有热导 逆变器的50%，转换效率上升4%，为 过300km。在碳化硅衬底上外延生长 率高(比硅高3倍)、与GaN晶格失配小 96%，一座30MW的太阳能发电站，全 石墨烯，可望制造高性能的石墨烯集 (4%)等优势，非常适合用作新一代发 部使用碳化硅功率器件后可节约大量 成电路，是当前国际研发的热点，IBM [1] 电能，节能效果十分显著。碳化硅可 [5] 光二极管（LED）衬底材料 、大功率 （美国）已经投入了巨资进行研发， 电力电子材料[2]。 在超过200℃的高温下长期稳定地工 并取得了重要进展，在半绝缘型碳化 采用碳化硅作衬底的LED器件亮 作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以 硅上创建了全球首个全功能石墨烯集 度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯 大量缩减冷却负担，实现系统的小型 成电路[6]。碳化硅晶体的硬度仅次于 片面积更小，且在大功率LED方面具 化和一体化。碳化硅基电力电子器件 钻石，其明亮度、光泽度和火彩甚至超 有非常大的优势。此外，碳化硅除了 已经应用于新一代航空母舰的电磁弹 过了钻石，基于碳化硅的人工钻石（莫 用作LED衬底，它还可以制造高耐压、 射系统，大幅度提高了舰载机起降效 桑钻）也已经面市。 大功率电力电子器件如肖特基二极 率，增强了航母作战性能。 碳化硅已成为全球半导体产业的 管（SBD/JBS）、绝缘栅双极型晶体管 此外，碳化硅材料的重要用途还 前沿和制高点。作为新兴的战略先导 （IGBT）、晶闸管（GTO）、金属-氧化 包括 ：微波器件衬底[3]、石墨烯外延 产业，它是发展第3代半导体产业的关 物半导体场效应晶体管（MOSFET） 衬底[4]、人工钻石。碳化硅（指半绝缘 键基础材料。2014年，美国新兴制造产 等，用于智能电网、太阳能并网、电动 型）是射频微波器件的理想衬底材料， 业的第1个产业制造创新中心——以 汽车等行业。与传统硅基功率电力电 以之为衬底的微波器件其输出功率 碳化硅半导体为代表的第3代宽禁带 子器件相比，碳化硅基功率器件可 密度是砷化镓（GaAs）器件的10倍以 半导体创新中心，获得了联邦和地方 以大大降低能耗，节约电力。比如一 上，工作频率达到100GHz以上，可以 政府的合力支持，1.4亿美元的总支持 台35kW的太阳能光伏并网逆变器， 显著提高雷达、通信、电子对抗以及 额将用于提升美国在该新兴产业方 全部使用硅器件，能耗可达2.8kW， 智能武器的整体性能和可靠性，使用 面的国际竞争力[7]。研究重点是：在未 转换效率为92%，全部换成碳化硅的 碳化硅基微波器件的雷达其测距由 来的5年里，通过使宽禁带半导体技 12 Advanced Materials Industry FOCUS 关 注 术拥有当前基于硅的电力电子技术的 构）、六方相（纤锌矿结构）和菱方相3 占领着SiC晶体生长及相关器件制作 成本竞争力，实现下一代节能高效大 大类共260多种结构，目前只有六方 研究的前沿。目前，Cree的6英寸SiC 功率电力电子芯片和器件。