第3章 半导体光电检测器件与应用1-光敏电阻.pptVIP

第三章 半导体光电检测器件及应用 光敏电阻 光电池 光电二极管、光电三极管 发光二极管、激光器 光耦合器 光电位置敏感器 热敏电阻、热电偶、热释电器件 3.1 光敏电阻 光敏电阻是光电导型器件。 光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。 与其他半导体光电器件相比有以下特点： 光谱响应范围宽（特别是对于红光和红外辐射）； 偏置电压低，工作电流大，可达数毫安； 动态范围宽，既可测强光，也可测弱光； 光电导增益大，灵敏度高； 无极性，使用方便； 在强光照射下，光电线性度较差 光电弛豫时间较长，频率特性较差。 3.1.1 光敏电阻的结构及其工作原理 光敏电阻结构：在一块均匀的具有光电导效应的半导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。（如图） 工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。 本征型和杂质型光敏电阻 本征型光敏电阻：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。 杂质型光敏电阻：对于Ｎ型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能ΔＥ时，将施主价带能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。 本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。 光电导与光电流 光敏电阻两端加电压（直流或交流）．无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少．在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流。 光电导：亮电导和暗电导之差； g = gL - gd 光电流：亮电流和暗电流之差； I光 = IL - Id 光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大，这样光敏电阻的灵敏度就高。 光敏电阻按光谱响应范围分类： 对紫外光敏感的光敏电阻； 对可见光敏感的光敏电阻； 对红外光敏感的光敏电阻 光敏电阻的应用领域： 照相机、光度计、光电自动控制、辐射测量、能量辐射、物体搜索和跟踪、红外成像和红外通信等技术方面制成的光辐射接收器件 3.1.2 光敏电阻特性参数 光电特性 伏安特性 时间响应和频率特性 温度特性 前历效应 1、光敏电阻的光电特性 光电特性：光电流与入射光照度的关系 I光=SgEγUα 式中：Sg为光电导灵敏度；E为照度；γ为光照指数（0.5~1），U为电压； α为电压指数（欧姆接触为1）； 光电导灵敏度: 光电导g与照度E之比. 光电导增益 光电导增益反比于电极间距的平方。 伏安特性 在一定的光照下，光敏电阻的光电流与所加的电压关系 光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，其伏安特性曲线为直线。 不同光照度对应不同直线 响应时间 光敏电阻的时间响应特性较差 材料受光照到稳定状态，光生载流子浓度的变化规律： 停止光照，光生载流子浓度的变化为 时间特性与光照度、工作温度有明显的依赖关系 频率特性 光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频率低。只有PbS光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。 光敏电阻参数 使用材料：硫化镉（CdS），硫化铅（PbS），锑化铟（InSb），碲镉汞（HgCdTe），碲锡铅（PbSnTe）. 光敏面：1~3 mm 工作温度：-40 ~ 80 oC 温度系数： 1 极限电压：10 ~300V 耗散功率： 100 W 时间常数：5 ~ 50 ms 光谱峰值波长：因材料而不同，在可见/红外远红外 暗电阻：108 欧姆 亮电阻：104 欧姆 基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。 基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。 * * 返回 价带 导带 电子 空穴 Eg 价带 导带 电子 空穴 ΔＥ 施主 光敏电阻 的结构和它的符号： 符号 1光电导材料 2电极 3衬底材料 光敏电阻 的灵敏度Sg: 弱光时：Sg∝l-2 强光时： Sg∝l-3/2 (1)弱光时，γ=1，光电流与照度成线性关系 (2)强光时， γ=0.5，光电流与照度成非线性关系。 其他光敏电阻也有类似的性质。 I光 E CdS的光电特性 不同波长的光，光敏电阻的灵敏度是不同的。 在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性。 图中虚线为允许