- 1、本文档共11页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
IRF1324SPbF
IRF1324LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications D VDSS 24V
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.3mΩ
High Speed Power Switching max. 1.65mΩ
Hard Switched and High Frequency Circuits G
ID (Silicon Limited) 340A
Benefits S ID (Package Limited) 195A
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free S S
G D D
G
2
D Pak TO-262
IRF1324SPbF IRF1324L
您可能关注的文档
- 托福阅读-28-1-Groundwater.pdf
- 托福阅读-29-1-Characteristics-of-Roman-Pottery.pdf
- 商业智能-BI-发展趋势分析.docx
- 托福阅读-30-2-The-Pace-of-Evolutionary-Change.pdf
- SST89V54RD2-33-C-NJE;SST89V58RD2-33-C-NJE;SST89V58RD2-33-I-NJE;中文规格书,Datasheet资料.pdf
- 上海科技公司创意办公空间设计装修方案.docx
- 托福阅读-31-2-Early-Childhood-Education.pdf
- hickman中心静脉导管.pdf
- 上演完美激动大婚.docx
- 托福阅读-31-3-Savanna-Formation.pdf
文档评论(0)