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第一章 衬底制备 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 第一章 衬底制备 1.1 衬底材料 1.1.1 衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、 ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石 表1 周期表中用作半导体的元素 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb 元素半导体 Si： ①占地壳重量20%-25%； ②单晶直径最大，目前16英吋（400mm）,每 3年增加1英寸； ③SiO2作用:掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝 缘介质（多层布线）、绝缘栅、 MOS电容的介质材料； ④多晶硅（Poly-Si）：栅电极、杂质扩散 源、互连线（比铝布线灵活）； 元素半导体 Ge： ①漏电流大：禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.12eV)； ②工作温度低：75℃（Si:150℃）； ③GeO2:易水解（SiO2稳定）； ④本征电阻率低：47Ω·cm（Si: 2.3×105Ω·cm）； ⑤成本高。 优点：电子和空穴迁移率均高于Si 最新应用研究：应变Ge技术--Ge沟道MOSFET 第一章 衬底制备 1.1.2 对衬底材料的要求 1.导电类型：N型与P型都易制备； 2.电阻率：10-3–108Ω·cm，且均匀性好（纵向、横 向、微区）、可靠性高（稳定、真实）； 3.寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命； 4.晶格完整性：无位错、低位错（1000个/cm2）； 第一章 衬底制备 1.1.2 对衬底材料的要求 5．纯度：电子级硅（EGS,electronic-grade- silicon） --1/109杂质； 6．晶向：双极器件--111；MOS--100； GaAs--100； 7．直径： 8．平整度： 9．主、次定位面： 10. 禁带宽度、迁移率、晶格匹配等。 第一章 衬底制备 1.1.3 起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） ① SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金级硅：98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2， 三氯硅烷室温下呈液态（沸点为32℃），利用分 馏法去除杂质； ③ SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)， 电子级硅 （片状多晶硅）。 第一章 衬底制备 1.2 单晶的制备 1.2.1 直拉法（CZ法） 1.拉晶仪 构成： ①炉体 ②拉晶装置 ③环境控制 ④电子控制及电源系统 柴可拉斯基拉晶仪 1.拉晶仪 ①炉体 石英坩埚：盛熔融硅液； 石墨基座：支撑石英坩埚；加热坩埚； 旋转装置：顺时针转； 加热装置：RF线圈； ②拉晶装置 籽晶夹持器：夹持籽晶（单晶）； 旋转提拉装置：逆时针； ③环境控制 真空系统： 气路系统：提供惰性气体； 排气系统： ④电子控制及电源系统 2.拉晶过程 例，2.5及3英寸硅单晶制备 ①??熔硅 调节坩埚位置；注意事项：熔硅时间不易长； ②??引晶（下种） 籽晶预热：位置---熔硅上方； 目的---避免对热场的扰动太大； 与熔硅接触：温度太高---籽晶熔断； 温度太低---过快结晶； 合适温度--籽晶与熔硅可长时间接 触，既不会进一步融化，也不会生长； 2.拉晶过程 ③收颈 目的：抑制位错从籽晶 向晶体延伸； 直径：2-3m