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第四章-菊池衍射及其应用
第四章 菊池衍射及其应用;一、菊池衍射原理及菊池线分析方法;1.2菊池花样形成几何学;1.3 菊池线位置和分布;（2）当φ=θB时，;（2）当φ≠0且φ≠θB时，菊池线对不对称地分别在(000)两侧或者出现在(000)同侧。;1.4 菊池线与衍射斑点的关系;1.5 菊池花样对称中心;;2.1 菊池线的指标化;（2）未知晶体（与单晶电子衍射花样标定过程相似）：摄取同一晶体不同取向下的菊池图，测出一系列的Rk、OM数据，得到一系列的d值（晶面间距），求一系列的1/di之间的比值；然后根据1/di比值查相关文献得出其晶体结构，得出各di对应的晶面族指数；最后根据各菊池线对之间的夹角关系进行菊池线对的指标化。但这项工作比单晶电子衍射花样繁杂，因此在TEM中不采用，主要用于SEM的EBSD分析。;菊池线指标化的注意事项：;(9-5);2.2 菊池图;;;(2) 计算法;2.3 菊池图的用途;2.3 菊池花样的应用;（1）精确测定取向关系;（2）设电子束???射方向[uvw]，对立方晶系则有：;（2）Bragg衍射时的偏离矢量S测定;010;作业：
下图是面心立方晶体Cu的某取向下的电子衍射花样（含衍射斑点和菊池线），已知Cu的点阵常数a=3.61?，电镜的工作电压为200kv，λ=0.025 ?。请标定菊池线对的指数并计算出该晶体精确取向（误差在5%以内）。
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