13-14(1)微机课09(存储扩展2-1)-(精品课件).pptVIP

第8章 89C51单片机扩展存储器的设计 8.1 系统扩展结构 AT89C51系统并行扩展结构如图8-1所示。 图8-1 64K×8bit =64KB 16 16 16 8 8 8 3 2 1 按数据存储器空间扩展 A0~A15 D0~D7 WR RD PSEN P.119 64K×8bit =64KB 16 8 2 WR RD 16 8 2 WR RD 8.2 地址空间分配和外部地址锁存器 P.120 8.2.2 外部地址锁存器 1. 锁存器74LS373 带有三态门的8D锁存器,其引脚及内部结构如图8-7和图8-8。 89C51与74LS373的连接如图8-9所示。 图8-8 74LS373内部结构 OE* G D Q 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 × 不变 1 × × 高阻态 表8-3 74LS373功能表 直通 锁存 74LS373 8D透明锁存器 直通 （随变） 图8-2 AT89C51单片机扩展的片外三总线 P3.6/ P3.7/ 片外程序存储器读选通信号 P3.6/片外数据存储器写选通信号 P3.7/片外数据存储器读选通信号 74LS373 G P.120 A0~A15,输出16位地址码， 可选通216=64K个地址单元 D0~D7,传输8位数据(读/写) D Q 直通 锁存 8D透明锁存器 8 8 8 8 OE 16位地址8位数据 可扩展存储容量： 64K单元×8b/单元 =64KB A15 . . . . A0 A15 . . . . A0 D7 . . D0 D7 . . D0 OE CE OE WE CE 【例8-B1】MCS-51单片机片外全扩展示例 27512 EPROM 62512 SRAM 64KB 64KB 74LS373 G D Q OE 片外 数据存储器 0000H~FFFFH 片外 程序存储器 0000H~FFFFH 片外程序存储器读选通 片外数据存储器写选通 片外数据存储器读选通 OE 读允许(RE、R ) WE 写允许(WR、W ) CE 片选 (CS、C ) A8~A15 A0~A7 D0~D7 EA EA端接“0”则全部使用片外程序存储器 例 要扩8片8KB的RAM 6264，如何通过74LS138把64KB空间分配给各个芯片？ 全地址译码方式：地址所有的位均参与选择存储单元的译码，使单片机输出每一个逻辑地址码对应选中一个物理存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。 图8-5 64KB地址空间划分成8个8KB空间 P.122 【全译码】 A15 A14 A13 8.2.1 存储器地址空间分配 C B A 0 0 1 A11·······A0 0 0········0 1 1········1 ＜ 地址区域 如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB，如何划分呢？ 图8-6 存储器空间划分成每块4KB空间 P.123 【全译码】 思考：如何再用一片74LS138译出后8个4KB片选信号？（G1端直接连P2.7/A15) A14 A13 A12 A15 G1 C B A 0 0 0 1 0 ~ 1 0 1 1 ‘0’ 000~111 A11·······A0 0 0········0 1 1········1 ＜ 1 1 0 0 地址区域 8.3 程序存储器EPROM的扩展 程序存储器通常采用只读存储器芯片，常态只读、非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中通过掩膜工艺编程。永久不可更改,适大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用专门的编程器一次性编程写入。(空白片通常全“1”) （3）可擦除可编程ROM（EPROM） 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）电可擦除可编程ROM（、EEPROM） 电信号编程，电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 （5）Flash Memory 又称闪速存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 美国ATMEL公司生产的与51系列单片机兼容的产品89C2051/ 89C51/89C52/89C55，片内分别有2KB/4KB/8KB/20KB的Flash ROM，来作为EEPROM使用 P.124 “编程” = “固化” = “烧写” 图8-11常用EPROM芯片引脚图 P.126 8 KB（8K×8b,64Kb） 16 KB 32 KB 64 KB 8.3.1常用的EPROM芯片 典型的27系列EPROM芯片的引脚图 图8-13 外扩一片27128的接口电路图