热平衡时的能带及载流子浓度.PDF

This document was created by Unregistered Version of Word to PDF Converter第二章 热平衡时的能带和载流子浓度 第 二 章 热 平 衡 时 的 能 带 及 载 流 子 浓 度 2.1 半导体材料 2.2 基本晶体结构 2.3 基本晶体生长技术 2.4 共价键 2.5 能带 2.6 本征载流子浓度 2.7 施主与受主 总结 This document was created by Unregistered Version of Word to PDF Converter第二章 热平衡时的能带和载流子浓度 在本章中我们帆探讨一些半导体的基本特性。首先讨论的是关于半导 体中原子排列的晶体结构。接着是晶体生长技术的简短描述。然后介绍有 关半导体中共价键及能带的观念，这些都与半导体导电相关。最后我们帆 讨论热平衡状态下的载流子浓度。这些观念也会用在本书中各个章节。 具体的说，我们帆涵盖以下主题 : 元素（element）及化合物（compound）半导体及其基本特性。 金刚石结构及相关的晶面。 禁带宽度及其对电导率的影响。 本征载流子浓度及其温度特性。 费繳能级及载流子浓度对它的影响。 2.1 半导体材料 固态材料可分为三繻 - 即绝缘体、半导体、及导体。图1列出这三繻 中一些重要材料的电导率（electrical conductivities）σ（及对应电 阻率ρ=1/σ） 的范围。 图 1 绝 缘 体 、 半 导 体 及 导 体 的 典 型 电 导 率 范 围 。 绝缘体如融熔石英及玻璃有很低的电导率，大约介于10-18到10-8 4 6 * S/cm之间;且导体如铝及银有较高的电导率，一般介于10 到10 S/cm 之 间。半导体的电导率则介于绝缘体及导体之间。它易受温度，照光，磁 场，及微量杂质原子（一般而言，大约1公斤的半导体材料中，约有1微克 到1克的杂质原子）的影响。这种对电导率的高灵敏度特性使半导体成为 各种电子应用中最重要的材料之一。 2.1.1 元素（Element）半导体 1 有关半导体材料的研究开始于十九世纪初 。多年以来许多半导体已被 研究过。表1列出周期表中有关半导体元素的部分。在周期表第Ⅳ族中的 元素如硅（Si）及锗（Ge）都是由单一原子所组成的元素（element）半 导体。在50年代初期，锗曾是最主要的半导体材料。但自60年代初期以 来，硅已取而代之，成为半导体制造的主要材料。现今我们使用硅的主要 This document was created by Unregistered Version of Word to PDF Converter第二章 热平衡时的能带和载流子浓度 的原因，乃是因为硅器件在室温下有较佳的特性，且高品质的硅渧化幂可 由热生长的方式产生。经济上的考虑也是原因之一，可用于制造器件等级 的硅材料，远比其它半导体材料价格低廉。在二渧化硅及硅酸盐中的硅含 量占地表的百分之二十五，仅次于渧。到目前为止，硅可说是周期表中被 研究最多且技术最成熟的半导体元素。 表1 周期表中与半导体相关的部分 周期 II III IV V VI B C N 2 硼