铁电铌酸锶钡薄膜的结构特性研究.PDF

31 10 Vol31 No10 2002 10 A CT A PH OT ONI CA SINI CA O ctober 2002 1 2 2 叶 辉 M elanie M . T . Ho Mak C. L . 1 , , 3 10027 2 , 采用溶胶- 凝胶法在Si 001) 基片上制备铁电铌酸锶钡薄膜, 使用X 射线衍射摇摆曲 线扫描电 显微镜喇曼散射光谱等测试手段研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系, 制 备的薄膜厚度可达到5m 实验发现, 随着薄膜厚度的增加, SBN60 和SBN75 薄膜在 001) 方 向的优先取向性越来越好 随着膜层的增加, 处于底层的膜层能够起到缓冲层的作用, 以逐渐 改善薄膜与基片之间的晶格失配, 从而使得晶体的结晶取向性越来越好 铁电薄膜; 铌酸锶钡; 微结构; 薄膜厚度 0 2~ 4 5~ 8 , , - , , , SBN 2m) , , - , 31 10- 11 m/ V , , Si 001) , Sr Ba Nb O , 0. 2 x 0. 8, , x 1- x 2 6 SBN) 5m SBN , 18 10- 10 m/ V 1 SBN , , PZT SBN SBN , , , , , 1 , 4m m , 11 SBN - , , SBN 60 Sr) , Ba) , NbCl ) 5 ~ 250 , , , c , 2- methoxyethanol) 8 SBN , , , , ,